解释金属与半导体接触的高表面态密度钉扎现象？

费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半导体。但是，若Fermi能级不能因为掺杂等而发生位置变化的话，那么就称这种情况为费米能级钉扎效应。在这种效应起作用的时候，往半导体中即使掺入很多的施主或者受主，但不能激活（即不能提供载流子），故也不能改变半导体的型号，也因此难于通过杂质补偿来制作出pn结。产生费米能级钉扎效应的原因，与材料的本性有关。宽禁带半导体（GaN、SiC等）就是一个典型的例子，这种半导体一般只能制备成n型或p型的半导体，掺杂不能改变其型号（即Fermi能级不能移动），故称为单极性半导体。一般，离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是单极性半导体。这主要是由于其中存在大量带电缺陷，使得费米能级被钉扎住所造成的。正因为如此，采用GaN来制作发兰光的二极管时，先前就遇到了很大的困难，后来通过特殊的退火措施才激活了掺入的施主或受主杂质，获得了pn结——制作出了发兰色光的二极管。非晶态半导体也往往存在费米能级钉扎效应。制作出的非晶态半导体多是高阻材料,Fermi能级不能因掺杂而移动，这也是由于其中有大量缺陷的关系。此外，半导体表面态密度较大时也往往造成费米能级钉扎效应。这在M-S系统和MOS系统中起着重要的作用。

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发现金属与硅晶体接触能有整流作用的半导体整流效应。20年代，随着

半导体光生伏打效应和整流效应进入商业利用的发展时期，人们注意到这两种效应只是

半导体的表面效应，而光电导性和电阻的负温度系数则是同半导体材料整体相关. 一、道理的一般与一般道理

如果说产业组织理论是对经济学原有内容的一种“深化”的话，信息经济学和管制

经济 学可以说是对经济学研究范围的一种“扩充”——它是将经济学的基本原理或“一

般道理” ，即建立在损益比较基础上的理性选择和经济均衡理论，伸延开去对信息和政

府管制这两种 特殊的“经济物品”的供求关系及均衡“产量”的决定，进行系统的理论

分析。

二、管制也是“内生变量”

政府管制是一种特殊的经济组织形式或经济制度。在传统的新古典经济理论中，

它象所 有制以及政府经济政策一样，被视为经济体系或反映这一现实体系的理论模型中

的一个“外 定条件”，当作“外生变量”来处理(其他的外生变量还有资源存量、技术

知识以及国际环 境等等)，在给定“管制”(比如“价格上限”或“税率”)的前提下，

研究人们的经济行为 和各种“内生变量”(产量、供求等等)的决定过程。

三 谁在管制和对谁的管制

政府管制，也称“公共管制”(Public regulation)。损益比较、理性选择、势力

均衡 这些经济学的一般道理，在应用于对政府管制这一现象的分析过程中，遇到的一个

特殊的观 念上的障碍就是：由于管制总是政府的管制，而政府在人们(包括经济学家们

)的心日中总是 或者说“总应该是”公共利益或全社会利益的代表，因而管制的形成过

程，也就自然地被认 为是政府出于最大化社会福利的考虑而实行的一种政策；

四 经济学家的“书生气”

施蒂格勒当初曾批驳的一个观点就是那种假设政府以及政府管制必然代表“真正的

公共 利益”的理论。在他所倡导的管制经济学形成之后，这种观念也并没有完全消除。

我们在经 济学文献中经常可以看到：一方面，许多理论家从政府管制符合公共利益这一

假设出发进行 论证，而论证的结果便往往是发现现实中的某种管制如何存在“错误”；

另一方面，即使承 认现实的情况并不那么美好，许多经济学家也仍然想方设法从公共利

益或全民社会福利出发 ，论证政府应该做什么

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