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关于半导体的掺杂,什么是完全电离?在什么条件下完全电离发生?
不能简单地说,半导体的电阻率是温度的单调递减函数. 在温度较低时,杂质没有完全电离,这时随温度升高,杂质电离增加直到完全电离,这段以载流子增加为主,所以电阻率降低;随后温度升高,虽然本征激发开始,但载流子迁移率的下降对电阻率的升高影响更大,
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请问半导体物理中的晶轴方向是什么,比如硅的【111】方向。还有为什么【111】余弦的平方为13
这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系。以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以
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什么是同质结与异质结?
哇!我就是从事异质结晶体管研究的!同质结就是同一种半导体形成的结,包括pn结,pp结,nn结。异质结就是不同半导体形成的结,包括pn结,np结,pp结,nn结。还有相关问题可以给我发消息。半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。在热力学温度零
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在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于?
在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度;在全电离时,多数截流子浓度≈掺杂浓度,并且基本上与温度无关。而少数截流子的浓度则与(温度)有很大关系(因为是本征激发的关系)。详见“http:blog.163.com
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高
我以N型半导体给你举一个例子:单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中,其浓度也为10^17cm^-3。而常
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半导体物理nd是什么
处于平衡态的非简并半导体中施主浓度为ND。半导体(semiconductor)指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
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什么是有机半导体求解
通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体,即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化
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离化率的具体概念是什么?
你问的是不是离子极化率?概念是:在电场作用下离子的电子云分布偏离原子核,造成负电荷中心偏离,产生了诱导偶极矩。诱导偶极矩pI正比于有效电场强度E,pI=αE。比例系数α称离子极化率,其单位是C·m2V。离子半径越大,核外电子越多,极化率越
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在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?
变。温度升高,刚开始由杂质能级电离,多子少子浓度变化不同,此时多子来自杂质及本征激发,而少子来自本征激发。温度再升高,致使杂质全部电离后,半导体处于饱和区。温度继续升高,这时载流子将由本征激发为主,到一定程度,电子空穴浓度会趋于相等。之后的
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半导体有哪些主要的散射机理?
1)电离杂质散射 2)晶格振动散射声学波和光波、声波散射、光波散射3)其他因素引起的散射等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题。首先要弄清楚,半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射,因为
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半导体参杂浓度计算
硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3少数载流子(空穴)p=ni^2n=0.45cm-3SIMS。半
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本征半导体
本征半导体如下:本征半导体(intrinsic semiconductor))是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净,此类半导体称为杂质半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决
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碳纤维发热原理,碳纤维加热是什么原理
碳纤维电地暖是现在很多家庭都有安装的地暖设备,碳纤维地暖比传统的地暖取暖效果也不差,传统地暖是靠水循环来散热的,但是新科技碳纤维电地暖的发热原理估计很多人都不了解,那么碳纤维加热是什么原理呢?碳纤维发热其实是使用碳纤维的原丝来作为主要的发热
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求教半导体物理学几个基本概念
半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。在热力学温度零度和没有外界能量激发时,价电子受共价键的束缚,晶体中不存在自由运动的电子,半导体是不能导电的。但是,当半导体的温度升高(例如室温300oK)或受到光照等外界因素的影响,某些共价键中的价电子
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半导体物理学(1)
根据量子统计理论,服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计率。对于一个能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率为f(E)称为电子的费米分布函数。式子中的称为费米能级或费米能量,它和温度、半导体材料的导电类型、杂质含量以及能量零点的选取有关。
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关于半导体的掺杂,什么是完全电离?在什么条件下完全电离发生?
不能简单地说,半导体的电阻率是温度的单调递减函数. 在温度较低时,杂质没有完全电离,这时随温度升高,杂质电离增加直到完全电离,这段以载流子增加为主,所以电阻率降低;随后温度升高,虽然本征激发开始,但载流子迁移率的下降对电阻率的升高影响更大,
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全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少
成立本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni,且np=ni平方。而有杂质时np=ni平方仍成立,以n为多子,注,此时无本征载流子ni,都是热平衡载流子n0,p0。它们乘积=无杂质时ni平方。硅的原子密度为5*10^22cm-3
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以氮化镓(GaN)、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体材料具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好、高
(1)氮、镓、碳、硅四种元素原子半径最小的是N,位于第二周期第ⅤA主族;C原子序数最小,原子核外有2个电子层,最外层电子数为4,原子结构示意图为,故答案为:第二周期第ⅤA主族;;(2)设镓的另一核素质量数为x,则69×60.1%+x×(1-