P-型、N-型：电子由吸附质向氧化物表面传递，金属离子还原。吸附很强，且多为不可逆性的。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = IE电导是电阻的倒数，即 G＝LR 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρLF，代入上式，

某些物质吸收了光子的能量后，产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料可以制成电导( 或电阻) 随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。光敏电阻的结构 光敏电阻的基本结构如图

钥匙插上启动没反应可能是汽车上的电瓶亏电导致的，还有可能是汽车的点火系统出现问题。首先应该检查一下汽车的电瓶，应该是汽车电瓶的电量被放空，出现这种情况需要找外接电源进行搭电，如果汽车能够通过搭电的方式启动，那么就说明是电瓶亏电导致的，对电

费米分布函数，就是那个抛物线的图像，F（E）=1[1+exp((E-Ef)kt)]这是一个概率分布，当能量为跟Ef一样的时候，刚好就是分布概率为二分之一，所以你知道E就好了，但是导带和价带是不一样的，你最好还是看看书吧说起来很复杂。费米

半导体的发现实际上可以追溯到很久1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久， 183

公式：λc=h拔cEgh：归一化普兰克常数c：光束Eg：禁带宽度（eV）λc：截止波长。名词解释光电导器件半导体光电器件引是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。光

介电常数的虚部与介质的电导率有关系，电导率越大损耗虚部也越大。介电常数取复数形式ε（ω）=ε′（ω）-jε″（ω），其中虚部ε″（ω）代表介质损耗；它是由于电极化过程追随不上外场的变化而引起的。实部随着频率的增加而显著下降，虚部出现峰值，

半导体PN结的电流与电压U关系式：=i(e的qUkT次方_1)。q是电子的电荷量，T是绝对温度，单位为K，k常数=1、38*(10的负23次方)K，i是反向饱和电流，U是PN结外加。电压在静态（且无光，热，辐射的影响）半导体的“等效电阻

us和cm中，【s】是电导的单位，记作“西门”,S=1Ω；μ 是希腊字母，表示10的负6次方，读"微"，uscm记作“微西门每厘米”，是电导率的单位。水中溶液的电导率是指通过离子运动运载电流的能力，电导率随温度的升

光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。光照射到金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应。光电效应分为光电子发射、光电导

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = IE电导是电阻的倒数，即 G＝LR 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρLF，代入上式，

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = IE电导是电阻的倒数，即 G＝LR 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρLF，代入上式，

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率

flow应该是流程的意思；capability是能力，能量，容量，有performance的意思，或者是performance里面最重要的一环；WPH是 wafer per hour，是每小时的出片量，是throughput的一个衡量指标，

光电导效应，又称为光电效应、光敏效应，是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流

0.25um,0.18um,0.13um,90nm,65nm,45nm,32nm 等比数列,公比根号下(2). 因为长度比为根号下(2),则面积比为2,光的能量比为2.以上值不是必须的,就像白炽灯泡瓦数100,60,40,25,15.比为0

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = IE电导是电阻的倒数，即 G＝LR 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρLF，代入上式，

1、1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。2、1839年法国的贝克