美光提出3D内存封装标准“3DS”或成DDR4基石

　　美光科技今天表示，正在与标准化组织JEDEC合作，争取制定3D内存堆叠封装技术的标准化，并且有可能成为下一代DDR4内存的基本制造技术。

　　美光还特意展示了当前内存技术在不同rank之间读取时候的时序局限。由于系统限制，会在数据总线上出现一个周期的滞后，进而影响整体系统带宽。美光宣称3DS技术可以消除这些局限，特别是可以从不同rank那里接受读取指令，从而“改进数据总线利用率和带宽”。

　　在此之前，美光已经利用IBM 32nm HKMG工艺量产3D TSV硅穿孔内存芯片。