SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管

产品特性：

• 采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，散热出色
• 低导通电阻：最大0.0024Ω
• 低Qgd/Qgs比率
• Qrr 为 30 nC，VSD 为 0.37 V
• 可通过Rg和UIS测试

应用范围：

• 服务器和通信系统
• VRM运用
• 显卡和负载点等应用

Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。

新型SiE726DF在10V栅极驱动时，具有极低的导通电阻，最大为0.0024Ω（在4.5V驱动时，最大为0.0033Ω），且在无散热片的情况下，能够处理的电流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，为服务器和通信系统中的高电流直流—直流转换器的同步整流低端控制开关、VRM运用、显卡和负载点等应用进行了优化。该器件的典型栅极电荷为50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能够提供良好的击穿保护。

该器件的 Qrr 为 30 nC 且 VSD 为 0.37 V — 两者均比标准MOSFET低50%以上 — 集成了MOSFET和肖特基二极管的SiE726DF因为寄生器件减少和MOSFET体二极管相关的功率损耗降低，效率也得到了提高。随着开关频率升高，功率损耗减少越来越显著。此外，取消外接肖特基二极管可在降低成本的同时，令设计人员创造出更小、更简洁的电路设计。

PolarPAK封装提供的双面冷却功能在高电流运用领域表现出更出色的散热性能。这使器件能够在更低结温下运作，顶部热阻为1°C/W，底盘热阻为1°C/W。除简化生产外，基于引线框架的密封设计因芯片密封，同样提供了保护和可靠性。无论芯片大小，该器件提供相同的布局布线，简化PCB设计，且100%通过Rg 和 UIS 测试。

目前，可提供SiE726DF的样品与量产批量，大宗订单的的供货周期为 10 至14 周。

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