球形键合和楔形键合的区别

球形键合和楔形键合的区别,第1张

球形键合,一般弧度高度是150μm,弧度长度要小于100倍的丝线直径;键合头尺寸不要超过焊盘尺寸的3/4,球尺寸一般是丝线直径的2到3倍,细间距约1.5倍。

楔形键合,焊盘尺寸必须支持厂的键合点和尾端,焊盘长轴必须在丝线的走线方向,焊盘间距因适合于固定的键合间距。

键合的失效情况介绍:

1、焊盘产生d坑(Cratering)。这是一种超声键合中常见的一种缺陷,指焊盘金属化下面的半导体玻璃或者其他层的破坏。像一块草皮形状,更一般的是难以肉眼看得见。它会影响电性能。

原因有多种:过高的超声能导致Si晶格点阵的破坏积累、太高或者太低的键合压力(wedge) 、球太小导致坚硬的键合头接触了焊盘。1.3微米厚的焊盘发生破坏的可能性小,小于0.6微米厚的焊盘容易破坏。丝线和焊盘硬度匹配可达到最优的效果,在AI的超声键合中,丝线太硬容易导致d坑的产生。

2、键合点开裂和翘起:键合点的后部过分地被削弱,而前部过于柔软会导致开裂。在弧度循环中丝线太柔软也是一个导致这种现象产生的原因。这种开裂常常发生在AI楔形键合第一点和球形键合的第二点。

3、键合点尾部不一致:丝线的通道不干净、丝线的进料角度不对、劈刀有部分堵塞、丝线夹太脏、不正确地丝线夹距或者夹力、丝线张力不对等。尾部太短会导致键合力加在过小的面积上,产生较大的变形太长又会导致焊盘间的短路。

4、键合点剥离:当键合头将丝线部分拖断而不是截断的时候会发生这种情况。常常由于工艺参数选择不对或者是工具已经老化失效的原因。

5、引线框架腐蚀:镀层污染过多和较高的残余应力会导致这种腐蚀。例如42号合金或者铜上镀Ni就会发生中问题;在组装过程中,引脚弯曲会产生裂纹,并暴露在外部腐蚀条件下,同时应力腐蚀导致的裂纹也会萌生;在一定温度、湿度和偏压下,腐蚀就会因为污染、镀层中的孔隙等而发生。

在半导体行业基本都是这样做的,如果不这样做,可以考虑在做完腐蚀后,放在超声波清洗机中振一下,时间要短,几秒钟就可以了,前提是前面的腐蚀已经充分,否则有可能会人为引起d坑,无法判断是否是键合引起的。

坑试验怎么做?附详解!在半导体封装工艺中,d坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线,铜线或铝线,其中铝线一般是在大功率的产品中使用,铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。d坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进,优化。FA 在进行这种分析时,针对不同的产品类型,一般采用什么样的方法呢?本文介绍几种常见的方法。

1. 铝 (Al bond pad)+ 金线键合(Au wire bond) 目的:分离金球(bond ball)与bond pad,用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂:10% NaOH溶液 温度:室温 腐蚀时间:约5分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是利用铝的两性,通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉,最终把bond pad和金线分离出来,用于检查分析。在腐蚀铝层时,金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整,也有用氢氧化钾的,但不宜用高浓度的碱进行腐蚀,需要控制好时间,否则会对芯片造成损伤。

2. 铝 (Al bond pad)+ 金线键合(Au wire bond) 目的:检查bond pad,不关注bond ball 试剂:碘化钾,单质碘,纯水, KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度:室温 腐蚀时间:10分钟~15分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是直接把金溶掉,最终把bond pad暴露出来进行检查分析,在腐蚀金的同时,bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快,缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种,比如王水,汞等,但王水的氧化性太强,对很多材料都有腐蚀性或者负面影响,汞属于毒性很强的物质一般也不常用,在冶金上面会用于提取金。

3. 铝 (Al bond pad)+ 铜线键合(Cu wire bond) 目的:分离铜球(bond ball)与bond pad,用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂:10% NaOH 温度:室温 腐蚀时间:约5分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是用氢氧化钠溶解铝层,但氢氧化钠不会腐蚀铜线,最终可以把bond pad和铜线分离出来,可以检查bond pad和IMC,与金线IMC检查的方法一样。

4. 铝 (Al bond pad)+ 铜线键合(Cu wire bond) 目的:溶解铜线,用于检查分析 bond pad,不需要保证铜线的完整性 试剂:发烟硝酸 温度:室温 腐蚀时间:30秒~ 1分钟 (取决于样品) 这时可以进行bond pad的检查,此时铝层还在pad上,如果需要进一步把铝层去除,可以接着做下面一步: 试剂:HCL (37% ) 温度:50 °C 腐蚀时间:1分钟~ 3分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线,但由于铝具有钝化作用而得以保留,该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉,可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。


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