树欲静而风不止，美国再对华为5G禁令加码，新的限制条件更严格

美国在特朗普时期曾悍然对我国发起“ 科技 战”，美国妄图用自己的长臂管辖权和经济制裁作为工具，对我国高 科技 企业，尤其是以华为为首的高 科技 企业进行全方位的打压，目的就是为了让美国有更多时间在5G技术领域奋起直追。

为此，特朗普政府动用了一切能动用之手段，在国际舆论上对中企大肆污蔑，同时还利用制裁手段逼迫别国拒绝采购中企产品，这种充满了霸权主义色彩的行径，一方面伤害到了中企的切身利益，另一方面也让供应链上的美国企业叫苦不迭。

如今中美两国的半导体行业协会已经联合成立了“半导体产业技术和贸易限制工作组”，核心就是确保中美两国在半导体供应链上，确定更加全面和详细的标准，避免因为白宫的行政令而导致市场供应出现混乱。

但树欲静而风不止的是，拜登政府目前仍在延续和维持特朗普时期的强硬立场。近日，美媒就报道称，白宫政府已经再度加码对华为的5G禁令，针对给华为供应半导体、天线等零部件的美企，美国制定出更加严格的限制出口条件。

据悉，禁令规定美国供应商出口的任何零部件，都不能和5G设备一同使用或者存在于任何5G设备之中，并且所有应用于军事、5G、云服务器、企业数据中心的零部件也没有得到授权。

换言之，拜登政府推出的这一系列新措施，相比特朗普的粗暴打压非但没有任何减缓，而且远比特朗普更加强硬，同时也更加的阴险，不过从风格上来说，这种套路也非常符合拜登这类美国老牌政治人物的习惯。

但如果美国以为只是单纯地靠打压，就可以压制住我国崛起势头，以及让中国的高 科技 企业就此沉沦，那只能说白宫方面想得太美好。目前恰恰因为美国及同盟之力，对以华为为首的高 科技 企业进行了肆无忌惮的打压，反而使得中企在全世界的影响力进一步扩张。

特别是在美国，直到今时今日，都拿不出任何证据能够证明所谓的“安全漏洞”真实存在。美国对华为5G技术的围追堵截，恰恰证明了其5G技术的先进性。

而美国在这项战略中犯下的最大错误，就是根本拿不出一个足够优秀的替代品提供给别国，这也就意味着美国是在技术领域输给了我国，这件事情所透露出来的信息，远比5G设备能够带来的营收更加令白宫感到坐立不安。

必须指出的是，哪怕美国不断加码对华为5G产品进行各种打压，但华为凭借着全球领先的技术实力，仍然拿下了相当多的海外订单，这足以证明美国妄图阻挠我国技术崛起的做法最终都是徒劳无功。

《科创板日报》（上海，研究员 何律衡）讯， 近期，以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体材料在A股市场引领了一波 科技 股回暖的热潮，引发市场对功率半导体的瞩目。与此同时，在该领域走在全球前列的日本，却已向号称第四代半导体的氧化镓展露了野心。

据日本媒体最新报道，日本经济产业省（METI）正准备为致力于开发新一代低能耗半导体材料“三氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持，METI将为明年留出大约2030万美元的资金，预计未来5年的投资额将超过8560万美元。

在此基础上，第三代半导体材料由于普遍具有直接禁带结构，且禁带宽度更大、电子饱和漂移速度更高等特点，被越来越多地应用到功率半导体上。

在这其中，碳化硅和氮化镓当前应用最为广泛，前者具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子迁移速度和高热导率等特性，已在新能源 汽车 的电源管理中有所应用，后者则具有宽禁带、高饱和电子漂移速度、高电子迁移率等物理特性，在消费电子快充产品上得以应用。

而氧化镓被认为是继碳化硅和氮化镓之后的“第三代用于功率元件的宽禁带半导体”。这种材料最初计划用于LED（发光二极管）基板、深紫外光（Deep Ultra Violet）受光素子等，在近十年才被应用于功率半导体方向，继而引发全球研发的热潮。

研究表明，氧化镓的禁带宽度为4.9eV，超过碳化硅、氮化镓等材料，采用禁带更宽的材料可以制成系统更薄、更轻、功率更高的功率器件；击穿场强高于碳化硅和氮化硅，目前 β-Ga2O3 的击穿场强可以达到 8MV/cm，是碳化硅的两倍。

中银证券分析师赵琦3月27日报告指出，氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用，其中最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动 汽车 和光伏太阳能系统。

不过，氧化镓的导热率低，散热性能差是限制氧化镓市场运用的主要因素。氧化镓的热管理研究是当前各国研究的主要方向。赵琦认为，如若未来氧化镓的散热问题被攻克，氧化镓将是未来高功率、高压运用的功率半导体材料的有力竞争者。

据外媒报道，今年4月，美国纽约州立大学布法罗分校（the University at Buffalo）正在研发一款基于氧化镓的晶体管，能够承受8000V以上的电压，而且只有一张纸那么薄，将用于制造更小、更高效的电子系统，用在电动 汽车 、机车和飞机上，用于控制和转换电子，同时帮助延长此类交通工具的续航里程。

除了美国之外，从全球范围来看，日本作为全球首个研究氧化镓材料的国家，同样具备竞争优势。METI认为，日本公司将能够在本世纪20年代末开始为数据中心、家用电器和 汽车 供应基于氧化镓的半导体。一旦氧化镓取代目前广泛使用的硅材料，每年将减少1440万吨二氧化碳的排放。

“事实上，日本在氧化镓相关技术方面远远领先于包括韩国在内的竞争对手，”该行业的一位专家向媒体表示，“一旦氧化镓成功商业化，将适用于许多领域，因为它可以比其他材料更大幅度地降低半导体制造成本。”

而在中国，尽管起步较晚，但对于氧化镓的研究也同样不断推进状态中。据国内媒体报道，在去年举行的全国 科技 活动周上，北京镓族 科技 公司公开展示了其研发的氧化镓晶胚、外延片以及基日盲紫外线探测阵列器件。

此外，中国电科46所采用导模法成功已制备出高质量的4英寸氧化镓单晶，其宽度接近100mm，总长度达到250mm，可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。经测试，晶体具有很好的结晶质量，将为国内相关器件的研制提供有力支撑。

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