材料:由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
作用:在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
光刻胶
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)。
深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
以上内容参考:百度百科——光刻胶
改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种:
掺杂:在半导体材料中掺入不同的杂质原子,可以改变材料的导电性质。掺入五价元素(如磷、砷等)可以形成N型半导体,掺入三价元素(如硼、铝等)可以形成P型半导体。
离子注入:通过离子注入技术,在半导体表面形成高能离子轰击区域,使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。
光刻技术:利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶,并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上,最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式,可以在芯片表面形成精细的图形结构,进而改变半导体的局部导电性。
聚焦离子束(FIB)技术:FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划,可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构,进而改变局部区域的导电性质。
这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰,可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域,对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。
全球半导体行业经历了三次迁移
自发展以来,全球半导体产业格局在不断发生变化。当前,全球半导体产业正在经历第三次产能转移,行业需求中心和产能中心逐步向中国大陆转移。
全球半导体行业正在快速增长
2021年,全球半导体市场快速增长,共销售了1.15万亿片芯片,市场规模达到5560亿美元,创历史新高,同比大幅增长26.2%。整个半导体市场并未受到2021年新冠疫情大流行的负面影响。强劲的消费需求推动所有主要产品类别实现两位数的增长率(光电除外)。
从半导体细分领域来看,集成电路一直是半导体行业的主要细分领域。2021年,集成电路市场规模达到4630.02亿美元,同比增长28.2%,占全球半导体市场规模的83.29%。其中,集成电路又可细分为逻辑电路、存储器、处理器和模拟电路,2021年这四个产品占比分别为27.85%、27.67%、14.43%、13.33%。2021年存储器、模拟电路和逻辑电路都实现较大的增长。
此外,2021年全球光电子器件、分立器件、传感器市场规模分别为434.04、303.37、191.49亿美元,占比分别为7.81%、5.46%、3.44%。
全球半导体行业企业开展多方面竞争
半导体行业高度全球化,大量国家/地区的企业在半导体生产的多个方面展开竞争,从半导体设计到制造,再到ATP(组装、测试和封装)。
据美国研究机构Gartner发布的报告显示,2021年全球半导体行业排名前十的企业分别是三星(Samsung)、英特尔(Intel)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、联发科技(MediaTek)、德州仪器(TI)、英伟达(NVIDIA)、超威半导体(AMD)。其中,三星(Samsung)超过英特尔(Intel),成为顶级芯片销售商。2021年三星的半导体收入激增31.6%,达到759.5亿美元。英特尔的收入下降到第二位,只增长了0.5%,达到731亿美元,销售额在前25家公司中增长最慢。
—— 以上数据来源于前瞻产业研究院《中国半导体行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》
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