砷化镓的电导率、相对介电常数、相对磁导率是多少

电导率σ=2Ω -1 CM -1，相对介电常数=介质的介电常数/真空介电常数，相对磁导率=介质磁导率/真空磁导率。

砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。

扩展资料：

注意事项：

1、与众多硅电路相同，砷化镓芯片也是静电敏感器件，应该接地 *** 作。

2、砷化镓不应有高温工艺。因为芯片温度不能超过320℃，所以焊接放置芯片和封盖 *** 作时应特别注意。

3、砷化镓包含砷元素，是作为有毒材料对待的。报废产品应该放置于合适的容器中（第十五节）。 第十四节包含对在封装件内部的芯片底部接触放置的指引。

参考资料来源：百度百科-砷化镓

参考资料来源：百度百科-电导率

参考资料来源：百度百科-相对介电常数

参考资料来源：百度百科-相对磁导率

砷化镓是重要的化合物半导体材料。

外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时，外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下，砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应，但能与浓硝酸反应，也能与热的盐酸和硫酸作用。

砷化镓天然存量稀少，通常采用镓和砷直接化合的方法，其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便可获得单晶。

砷化镓的优点 

电子物理特性砷化镓GaAs拥有一些比硅Si还要好的电子特性，如高的饱和电子速率及高的电子迁移率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。

GaAs的的另一个优点它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。砷化镓比硅更不会受到自然辐射的干扰，不易产生错误信号。

属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。

砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。

扩展资料

砷化镓(GaAs)是一种很容易被人们提起的半导体材料，它与整个半导体产业密切关联，而这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。随着5G的逐步到来，整个社会将进入万物互联的新阶段，半导体相关芯片、器件需求量将进一步爆发，将成为像基础能源一般的存在。

由于GaAs具有高频、低杂讯与低耗电等优良特性，能够应用在高频IC与光电材料上，手机、WLAN、光纤通讯、卫星通讯与太阳能电池均是其适用的领域，其中手机与无线通讯应用是其中占比较高的市场。

参考资料来源：百度百科-砷化镓

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