铁电存储器

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入 *** 作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

he 内容提要：

铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。本书是引领域的第一本专著，内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。

作者简介：

Prof.Scott就学于美国哈佛大学和俄赢亥俄州大学，毕业后在Bell电话实验室量子电子部工作了六年。他曾是美国Colorado大学教授（1971-1992），随后在澳大利亚墨尔本和悉尼工作七年，任新南威尔士大学理学院院长。1999年起他成为英国剑桥大学铁性材料研究的教授。 Scott教授在科不杂志上已发表论文400余篇，是5本书的著作或共著者。他是美国物理学会 Fellow，并且从德国得到高级Humboldt奖（1997-1998），从日本得到Monkasho奖（2001），在莫斯科得到名誉博士学位（2003）。他是美国Symetrix公司的创始人之一，并任该公司的指导委员会主席。1997年他曾以科学访问教授身份服务于日本 Sony公司。

目录：

1.导言

1.1 铁电体的基本性质:体材料

1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应

2.RAM的基本性质

2.1 系统设计

2.2 实际器件

2.3 测试

3.DRAM和NV-RAM的电击穿

3.1 热击穿机制

3.2 Von Hippel方程

3.3 枝晶状击穿

3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称

4.漏电流

4.1 Schottky发射

4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正

4.3 电荷注人

4.4 空间电荷限制电流BCLC

4.5 负电阻率

5.电容-电压关系C(V)

5.1 支持薄耗尽层的方面

5.2 支持完全耗尽薄的论据

5.3 Zuleeg-Dey模型

5.4 混合模型

5.5 基于XPS的能带结构以匹配关系

5.6 离子空间电荷限制电流

……

6.开关动力学

7.电荷注入和疲劳

8.频率依赖

9.制备过程中的相序

10. CBT族Aurivillius相层状结构

11.淀积和工艺

12.非破坏性出器件

13.基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和

14.薄膜黏结

15.电子发射和平面显示器

16.光学器件

17.纳米相器件

18.缺点和不足

习题

参考文献

索引

存储器分为易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等

铁电是属于非易失性的，可上百万次读写的存储，存储的原理类似于DRAM,由一个NMOS管，和一个CAP组成，可以参考一本COMS数字集成电路（第二版），那上面讲的很详细，

在芯片里面就是有行译码，列译码，读出写入缓冲器，位读出放大器组成。它的的读出写入时序很简单，只要按照加电压的顺序来就可以，要预充电之类的。

应用于简单存储，类似于EEPROM，应该了解这个吧

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