直接帯隙和间接帯隙半导体辐射光子和本征吸收的能力孰强?为什么?

直接带隙半导体当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变（光子的动量很小，可以忽略）——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（辐射光子）间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量（需要吸收或发射一个声子），根据单电子理论，可知道其吸收系数没有本征的陡峻、剧烈。希望采纳！

因为对于半导体材料来说，只要光子能量大于其禁带宽度都可以发生吸收，也就是GaN材料对于波长小于365的光子都可吸收，所以吸收谱是连续的。

而发射则主要由导带电子与价带空穴发生辐射复合产生，其能量基本等于禁带宽度，也就是只是在365nm左右有较强的发光峰。

Sentaurus Device作为高级多维（1D/ 2D/ 3D）器件仿真器，能够仿真硅基和化合物半导体器件的电学、热力学和光学特性。Sentaurus Device是设计与优化现行及未来半导体器件的新一代器件仿真器。

Sentaurus Device是一种通用器件仿真工具，能够为多种类型设备提供仿真验证。

AreaFactor ：2D仿真当中，当计算浓度时用于指定Z方向宽度

Recombination ：复合模型，包括辐射复合，SRH（肖特基-里德-霍尔）复合以及Auger复合

DopingDependence ：复合速率及载流子迁移率与注入浓度相关

IncompleteIonization ：不完全电离模型，对指定的离子，可添加关键词 Dopants

Physics{ IncompleteIonization(Dopants = "Species_name1 Species_name2 ...") }

很多情况下，指定各种晶格的平均占据概率即可。例如，对于6H-SiC，可以假设氮离子注入在六边形格点 h 和立方体格点k1,k2有相同的概率，使用关键字 split

EffectiveIntrinsicDensity ：禁带模型，默认BandGapNarrowing（禁带变窄）

eBarrierTunneling "NLM" ：非局域隧穿模型

Aniso ：指定仿真坐标系统中各向异性晶体方向

Nonlocal ：一般来说， Nonlocal 指定构建网格的界面或者接触，Sentaurus Device以不超过 Length （默认单位为厘米）的长度连接半导体顶点和界面及接触。本例中，Sentaurus Device构建名为"NLM"的非局域网格并以不超过50nm的距离连接格点至top_schottky电极。 Digits 决定相对精度， EnergyResolution 用于限定计算隧穿电流的时间以免 Digits 值太大。

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