半导体二极管进行代换时主要考虑哪两个参数

不止两个参数，有时要看实际的应用，考虑的参数有正向额定电流（替代品至少要大于或者等于原来的管子） ；方向耐压（替代品至少要大于或者等于原来的管子）；方向恢复时间（替代品至少要小于或者等于原来的管子）

上面的几条也不是绝对的，有时按照上面的方法进行替换性能反而会变差，总之要看根据实际情况进行了，但原则上时可以参考了。

详细资料我已上传到文库。

晶体管极性:PNP

电压,

Vceo:400V

功耗,

Pd:625mW

集电极直流电流:0.3A

直流电流增益

hFE:50

封装类型:TO-92

针脚数:3

SVHC(高度关注物质):Cobalt

dichloride

(18-Jun-2010)

SMD标号:KSP44

功耗:625mW

封装类型:TO-92

总功率,

Ptot:625mW

晶体管数:1

晶体管类型:通用小信号

最大连续电流,

Ic:0.3A

满功率温度:25°C

电压,

Vcbo:500V

电流,

Ic

@

Vce饱和:50mA

电流,

Ic

hFE:1mA

电流,

Ic

最大:0.3A

直流电流增益

hfe,

最小值:40

表面安装器件:通孔安装

针脚配置:b

饱和电压,

Vce

sat

最大:0.75V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis

(2-ethyl(hexyl)phthalate)

(DEHP)

(18-Jun-2010)

S8050，封装TOP21，NPN型管，功能高频放大，40V，1.5A，1W，100MHZ，代换B1240，S8550。S8550与S8050一致。9012，TOP21，PNP，低频放大，50V，0.5A，0.625W，代换，9013。

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