高性能有机半导体材料是有机光电器件的核心组成部分,是有机光电器件应用的基础。近期,中国科学院上海有机化学研究所有机功能分子合成与组装化学重点实验室李洪祥课题组在新型高性能有机半导体材料方面取得了系列进展。
针对目前高性能n-型有机半导体缺乏的现状和面临的挑战,李洪祥课题组在前期噻吩醌式n-型有机半导体研究的基础上(Chem. Mater. 2011, 23, 1204Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2277Chem. Mater. 2014, 26, 5782),在噻吩醌式分子中引入呋喃结构单元,首次合成了呋喃-噻吩醌式n-型有机半导体分子。该化合物显示了高的电子迁移率,其溶液法制备的晶体管器件迁移率高达7.7 cm2/Vs。单晶结构和薄膜XRD结果显示呋喃-噻吩醌式分子在薄膜中呈面对面(face-to-face)的π-π堆积,且π-π堆积的方向与载流子传输方向一致。上述结果表明呋喃-噻吩醌式分子是一类优异的高性能n-型有机半导体(Advanced Materials, 2016, 28, 5949)。http://ic.big-bit.com/news/241990.html
1、EDS是针对一些元素的含量进行测试,XRD是测试晶体结构的。2、EDS(EnergyDispersiveSpectrometer)能谱分析,能谱仪是与扫描电子显微镜或透射电镜相连的设备。在微米或纳米尺度上对扫描电镜或透射电镜内通过电子碰撞所产生的X射线的能量进行测量来确定物质化学成分。分析范围:4-100号元素定性定量分析。特点:(1)能快速、同时对各种试样的微区内Be-U的所有元素,元素定性、定量分析,几分钟即可完成。(2)对试样与探测器的几何位置要求低:对W.D的要求不是很严格;可以在低倍率下获得X射线扫描、面分布结果。(3)能谱所需探针电流小:对电子束照射后易损伤的试样,例如生物试样、快离子导体试样、玻璃等损伤小。(4)检测限一般为0.1%-0.5%,中等原子序数的无重叠峰主元素的定量相误差约为2%。3、XRD,X射线衍射是测定晶体结构的。X射线衍射,通过对材料进行X射线衍射,分析其衍射图谱,分析材料的成分等。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)