噻吩结构式

噻吩结构式如图所示：

噻吩（Thiophene），系统名1-硫杂－2,4-环戊二烯。从结构式上看，噻吩是一种杂环化合物，也是一种硫醚。分子式C4H4S，分子量84.14。熔点－38℃，沸点84℃，密度1.051g/cm3。在常温下，噻吩是一种无色、有恶臭、能催泪的液体。

噻吩是芳香性的，硫原子2对孤电子中的一对与2个双键共轭，形成离域Π键。噻吩的芳香性仅略弱于苯。

噻吩的用途

噻吩是一种重要的有机化工原料，它的用途非常广泛。主要用于染料、医药和树脂。合成新型广谱抗菌素先锋霉素，是一种重要的医药化工助剂，还可应用于彩色影片制造及特技摄影，合成一种复杂的试剂，用于铀等金属的提取分离等。

噻吩的衍生物具有多种药理活性。噻吩偶氮染料品种繁多，性能优异。噻吩的磺酰脲类衍生物是超高效、低毒的新型除草剂。其他衍生物还可作为杀虫剂、杀菌剂、动植物生长促进剂等。另外，噻吩的有些衍生物还是有机半导体的组成成分。

总之，噻吩及其衍生物在药物工业、染料工业、农药工业、树脂工业、化学工业等方面均有十分重要的地位。

以上内容参考：百度百科-噻吩

化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。

高性能有机半导体材料是有机光电器件的核心组成部分，是有机光电器件应用的基础。近期，中国科学院上海有机化学研究所有机功能分子合成与组装化学重点实验室李洪祥课题组在新型高性能有机半导体材料方面取得了系列进展。

针对目前高性能n-型有机半导体缺乏的现状和面临的挑战，李洪祥课题组在前期噻吩醌式n-型有机半导体研究的基础上(Chem. Mater. 2011， 23， 1204Adv. Funct. Mater. 2013， 23， 2277Chem. Mater. 2014， 26， 5782)，在噻吩醌式分子中引入呋喃结构单元，首次合成了呋喃-噻吩醌式n-型有机半导体分子。该化合物显示了高的电子迁移率，其溶液法制备的晶体管器件迁移率高达7.7 cm2/Vs。单晶结构和薄膜XRD结果显示呋喃-噻吩醌式分子在薄膜中呈面对面(face-to-face)的π-π堆积，且π-π堆积的方向与载流子传输方向一致。上述结果表明呋喃-噻吩醌式分子是一类优异的高性能n-型有机半导体(Advanced Materials， 2016， 28， 5949)。http://ic.big-bit.com/news/241990.html

人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT随后,又涌现了用 CdSe,InSb,Ge 等半导体材料做成的 TFT 器件.二十世纪六十年代,基于低费用,大阵列显示的实际需求,TFT 的研究广为兴起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 术 2006 年 9 月 首次研制出有源矩阵液晶显示(AMLCD) ,并用 CdSe TFT 作为开关单元.随着多晶硅掺杂工艺的发展,1979 年 后来许多实验室都进行了将 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源层,做成如图 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃为衬底的研究.二十世纪八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有着极重要的地位,所做成的产品占据了市场绝 大部分份额.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT) ,OTFT 技术从此开 始得到发展.九十年代,以有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点.由于在制造工艺和成本上的优势,OTFT 被认为将来极可能应用在 LCD,OLED 的驱动中.近年来,OTFT 的研究取得了突破性的进展.1996 年,飞利浦公 司采用多层薄膜叠合法制作了一块 15 微克变成码发生器(PCG) 即使当薄膜严重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的无定型金属氧化物锆酸钡作为并五苯有机薄膜晶体管的栅绝 IBM公司用一种新型的具有更高的介电常数 缘层,使该器件的驱动电压降低了 4V,迁移率达到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell实验室的 Katz 和他的研究小组制 得了在室温下空气中能稳定存在的噻吩薄膜,并使器件的迁移率达到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 实验室用并五苯单晶制得 这向有机集成 了一种双极型有机薄膜晶体管, 该器件对电子和空穴的迁移率分别达到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 电路的实际应用迈出了重要的一步.最近几年,随着透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半导体材料作为活性 层制作薄膜晶体管,因性能改进显着也吸引了越来越多的兴趣.器件制备工艺很广泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技术也取得了突破性进展.2003 年,Nomura等人使用单晶 InGaO3 (ZnO)5 获得了迁移率为 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美国杜邦公司采用真空蒸镀和掩膜挡板技术在聚酰亚铵柔性衬底上开发了 ZnO-TFT,电 这是在聚酰亚铵柔性衬底上首次研制成功了高迁移率的 ZnO-TFT, 这预示着在氧化物 TFT 子迁移率为 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 领域新竞争的开始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作为活性层制得开关比为 107 薄膜晶体管. H C等人利用 CBD 方法制得开关比为 105 ,迁移率为 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,这也显示出实际应用的可能.

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