半导体物理的纽曼边界条件，狄拉克边界条件是什么意思

从物理上我们隐约感知到：

在空间的边界上给出函数或其导数的值，称为边界条件；

在一些初始时刻给出函数和其导数的值，称为初始条件。

但从数学上看，哪一个是“时间”，哪一些是“空间”变量？都是变量，无从区分。

有时，数学上把初始条件也看成一种（广义的）边界条件（时间边界）。

然而，物理上的因果关系要求，对于时间变量，有某个“边界”对确定微分方程的解没有帮助。

例如：在时间上，我们不可能通过改变明天的振动情况，影响今天的振动，但是在空间上，却可以改变一端的振动情况，影响整个体系的振动。

这样，广义边界条件就包括在“开表面”和“闭表面”上给定函数（或/和 其导数）的值。

“闭表面”：需给定“两端”的函数值或其导数值，“两端”的值对解均有影响。

“开表面”：只需（也只有）“一端”的函数值（和其导数值），只有“一端”的值对解有影响。

因此，广义边界条件可分为几种：

1. Cauchy 条件： 给定广义边界上的函数和其（法向）导数的值。

2. Dirichlet 条件： 给定广义边界上的函数的值。

3. Neumann 条件：给定广义边界上法向导数的值。

4. Robin 条件： 给定广义边界上函数值和其法向导数值的线性组合。

小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度.

比如n型半导体，如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度（n0）就属于小注入。 p型就是远小于平衡空穴浓度（p0）。

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