半导体中cvd pvdALD什么

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd:（Vapor )，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD:原子层沉积。拓展由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。

物理气相沉积的简称。

物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

扩展资料

主要优点和特点如下：

1、镀膜材料广泛，容易获得:包括纯金属、合金、化合物，导电或不导电，低熔点或高熔点，液相或固相，块状或粉末，都可以使用或经加工后使用。

2、镀料汽化方式:可用高温蒸发，也可用低温溅射。

3、沉积粒子能量可调节，反应活性高。通过等离子体或离子束介人，可以获得所需的沉积粒子能量进行镀膜，提高膜层质量。通过等离子体的非平衡过程提高反应活性。

4、低温型沉积:沉积粒子的高能量高活性，不需遵循传统的热力学规律的高温过程，就可实现低温反应合成和在低温基体上沉积，扩大沉积基体适用范围。可沉积各类型薄膜:如金属膜、合金膜、化合物膜等。

5、无污染，利于环境保护。

物理气相沉积技术已广泛用于各行各业，许多技术已实现工业化生产。其镀膜产品涉及到许多实用领域。

一、两者的特点不同：

1、NCVM的特点：NCVM的主要特征是结合了传统真空镀膜技术的特性，采用新的镀膜技术、新的材料，做出普通真空电镀的不同颜色的金属外观效果，起到美化工件表面之功用。

2、PVD的特点：PVD技术出现于，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。

二、两者的概述不同：

1、NCVM的概述：NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术，是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀，简称VM，是vacuum metallization的缩写。

2、PVD的概述：PVD物又称理气相沉积，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。

三、两者的应用不同：

1、NCVM的应用：电镀技术作为一种功能精饰技术，其合金镀层具有优异的耐磨性、耐蚀性、镀层厚度均匀性、致密度高等特点，已在电子产品中获得大量应用。无锡电镀随着电子工业的迅猛发展，对电镀技术的要求越来越高，新技术、新产品、新工艺层出不穷。

2、PVD的应用：发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

参考资料来源：百度百科-PVD（物理）

参考资料来源：百度百科-物理气相沉积

参考资料来源：百度百科-NCVM不导电电镀

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