半导体rtp是快速热处理的意思。
快速热处理,是一种升温速度非常快保温时间很短的热处理方式。
升温速率能达到10~100摄氏度每秒。一般采用红外卤素灯或者电阻棒加热,加热时电流很大,功率很大。
半导体的制备
1、沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。
2、硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭。
3、单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。
4、硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。
5、晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。
热敏性。热敏性拼音: [rè mǐn xìng] 基本解释: 当外界温度升高时,半导体导电能力增加,当外界温度降低时,半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面:热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高,半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗(Ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了。例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能。目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化。例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件。同意一楼的观点,问题太过笼统!首先温度调节看制冷器温差:常规的半导体制冷片温差60~70;大温差的可以做到150第二温度调节要看你要调节空间的热载荷是多大,环境温度是多少第三温度调节范围看你要调节空间的漏热有多大,也就是你的保温性能如何?第四你使用的半导体制冷器的效率及性能匹配是否合理这样条件清楚了,你才能计算出你的调节范围 www.sovano.com希望对你有帮助欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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