许多陶瓷都具有半导体性质,是所谓半导体陶瓷。电阻随温度而变化的性质,可用于非线性电阻(NTC)。铁系金属的氧化物陶瓷,电阻的温度系数为负,具有化学的和热的稳定性,可用于非线性电阻,在很宽的范围控制温度。与此相反,称为正温度系数热敏电阻(PTC热敏电阻)的元件,用的是半导体化的BaTiO3陶瓷。这种陶瓷因为在相变温度下电阻急剧增大,如果作为电阻加热元件而应用,则可在相变温度附近方便地自动控温。
半导体陶瓷除了氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等由一种化合物构成的单相陶瓷以外,还有由两种或两种以上的化合物构成的复合陶瓷。例如,由氧化铝和氧化镁结合而成的镁铝尖晶石陶瓷,由氮化硅和氧化铝结合而成的氧氮化硅铝陶瓷,由氧化铬、氧化镧和氧化钙结合而成的铬酸镧钙陶瓷,由氧化锆、氧化钛、氧化铅、氧化镧结合而成的锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷等等。
发展动向可参见http://baike.baidu.com/view/283565.html?tp=6_01
陶瓷劈刀,又名瓷嘴,毛细管(英文名直译)。陶瓷劈刀是在半导体封装行业中占有不可或缺地位的一种特种陶瓷工具。在IC封装中,有三种常规方式用来实现芯片和基板的电路连接:倒装焊、载带自动焊和引线键合。而目前90%以上的连接方式为引线键合,引线键合技术主要运用于低成本的传统封装,中档封装,内存芯片堆叠等。而陶瓷劈刀就是引线缝合中最重要的消耗品工具。
“引线键合”的运作方式类似于高科技微型“缝纫机”,能够利用极细的线将一块芯片缝到另一芯片或衬底上,陶瓷劈刀的作用就像是那根穿针引线的“缝衣针”。而一台键合机在满荷载的工作状态下每天需要键合几百万个焊点,每个陶瓷劈刀都有其固定的使用寿命,一旦达到额定次数就需要更换新的劈刀,陶瓷劈刀的需求体量可想而知是非常庞大的。
在半导体封装成本日益降低要求下,低成本的键合线势在必行,因此铜线势必会成为未来替代金线的主要键合线。而这对于键合劈刀来说,陶瓷材料的改进和端部的表面粗糙度的制作方法将成为其中关键。
目前全球的高端陶瓷劈刀基本都被同一家公司技术垄断着(一家瑞士公司,具体名字不提,行内人士肯定知道),这家公司在陶瓷劈刀这一项上占据了全球90%以上的份额,甚至我们已知的很多国际大公司生产的同类产品都是获得这家公司技术授权才可以生产的。所以可以说在半导体封装行业里有很多大公司一直被别人用这种消耗品工具掐着咽喉。
深圳市米椒光科技是全国首家独立自主研发出陶瓷劈刀的厂家,更是全球首家独立自主研发出全自动陶瓷劈刀整套设备生产线的厂家。真可谓是国货之光了~
种半导化途径是施主掺杂半导化:可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子,使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。
热交换的基本途径为:传导、对流和辐射。为了有效散热,人们常通过减少热流途径的热阻和加强对流系数来实现,往往忽略了热辐射。LED灯具一般采用自然对流散热,散热器将LED产生的热量快速传递到散热器表面,由于对流系数较低。
扩展资料:
具有高热辐射效率的辐射带,大致是从强共振波长延伸到短波整个二声子组合和频区域,包括部分多声子组合区域,这是多数高辐射陶瓷材料辐射 带的共同特点,可以说,强辐射带主要源于该波段的二声子组合辐射。
一般辐射陶瓷的辐射带集中在大于5m的二声子、三声子区。因此,对于红外辐 射陶瓷而言,1~5m波段的辐射主要来自于自由载流子的带内跃迁或电子从杂质能级到导带的直接跃迁,大于5m波段的辐射主要归于二声子组合辐射。
参考资料来源:百度百科-陶瓷材料
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