半导体自旋注入困难的原因是什么

目前自旋极化电子的注入与检测的研究不是很成熟,无论是在理论还 是在实验方面,存在许多问题有待于解决.影响注入效率的因素很多,包 括界面质量,缺陷和杂质密度.以及能带结构等,因此寻找好的自旋极化 电子来源的材料,研究出好的注入与检测方法,提高注入效率,提高居里 (下转第31 方案优势与特点:性能稳定可靠,空间利用率高通过简单的横向扩展堆叠,组成性能与容量同步扩展的"存储池"接入成本低,采用以太网卡和IPSAN 交换机的接入成本远低于FC 入成本后期运维投入较小,总体拥有成本(TCO)降低轻松实现统一管理,统一维护. 整体方案优势(上接第37 温度等方面是目前半导体电子学研究的重点和难点.综上所述,半导体自旋电子学是自旋电子学的热点领域之一,虽然发 展很快,但是对半导体自旋电子学的研究在理论与应用方面还处于刚刚发 展阶段,特别是对于自旋极化的控制与输运的认识还处在一个非常肤浅的 阶段,而且对出现的各种新效应的理解基本上还是一种"拼凑式"的半经 典唯象理论,自旋极化电子的注入与输运控制被认为是自旋电子学发展的 瓶颈.

1、电容的物理意义是电荷随电压的变化量，对于扩散电容，电压引起的电荷变化主要来自于非平衡少子的注入，与产生复合无关，也就与少子寿命无关。所以选第三项

2、扩散电容充放电的过程即非平衡载流子渡过基区的过程，可见充放电的时间就是渡越时间，选第一项

3、发射结注入效率等于1-发射区方阻除以基区方阻，共射极电流放大倍数等于100，从以上两个条件可以得到基区输运因子0.995，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，最终计算结果为第三个选项

4、没明白题目到底想问啥。

5、共射极电流放大倍数等于分子（基区输运因子乘以发射结注入效率）除以分母（1-基区输运因子乘以发射结注入效率），计算结果是44，选第一项。

6、根据爱因斯坦关系，由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，电子的扩散系数大于空穴的扩散系数。在相同的浓度梯度下（材料掺杂和偏置电压相同），显然电子的扩散电流要大于空穴的扩散电流对于PNP管。发射区的扩散电流是电子扩散电流，可见PNP管的发射结注入效率比NPN管低。扩散系数大的电子在基区的渡越时间比较短，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，可见NPN管的基区输运因子大于PNP管，选第三项。

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