半导体制备中 各向异性刻蚀与干法刻蚀的不同 干法刻蚀相比较各向异性刻蚀有什么优点 小白求解

Anisotropic Etch 主要是在etch的时候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~

Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~

其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。

etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。

如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。

如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~

半导体电性异常与制程的关系如下。一种半导体器件的制造方法，获取预处理半导体结构，预处理半导体结构包括具有第一暴露面的金属层，金属层第一暴露面具有凸起部。在金属层第一暴露面设置保护层，保护层至少覆盖金属层除凸起部以外的其它部分。去除凸起部以在金属层上形成金属层的第二暴露面。在第一暴露面的所在区域上形成介质层，且介质层完全覆盖第一暴露面的所在区域。本发明提供的半导体器件的制造方法通过在金属层除凸起部的其它部位上覆盖保护层保护金属层。蚀刻掉凸起部，对半导体器件的金属层表面进行修整，避免凸起部影响半导体器件的后续制程，在金属层上覆盖保护层，使得半导体器件的表面平整，更有利于半导体器件的后续制程，方法简单，便于实施。

POLY产品主要原料由以下物料组成：1、POLY油（即树脂）分软POLY和普通两种,POLY油是产品中的主要成分.2、石膏粉（化学名Caco3）,与POLY油混合比例约为10：8.3、彩绘油漆,主要有平光与亮光漆之分.4、各种表面处理液：...

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