p-podyimp是什么意思在半导体中

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

Bumping, 一般是指倒装LED芯片（flip chip）工艺中，在wafer晶圆表面做出的铜锡或金凸点（英文就是bumping），芯片倒过来贴到PCB板上后，bumping凸点与PCB上的导电焊盘连接，用于加电驱动LED，从intel早起的CPU到现在苹果的AP处理器，都是先做bumping再和其他芯片一起做到PCB基板上成模块的。

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