求高人！请详述半导体材料的吸收光谱性质。有急用！谢谢高人指点！

半导体导带和价带之间存在能隙（energy

gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

光子的频率ν，电离能E，禁带宽度Eg，真空能级χ

金属的外光电效应的频率由金属的电离能决定，hν<E时，无光电子放出且没有吸收峰，hν＞E时，放出光电子，继续增加频率，电子动能增大

半导体的外光电效应，当光的频率hν=Eg时，会有一个吸收峰，但是没有光电子放出，继续增加频率，hν=E时，开始放出光电子，继续增加频率，电子动能增大

也就是说因为金属电离能E=χ，所以E＜χ时，不吸收光

半导体E=Eg+χ，所以E＜χ时，有一个吸收峰

额，自己写的不知道对不对，有错就抱歉了。导带极值在<110>，建立空间直角坐标系。若B在<111>方向，由空间几何知识可以算出，cos2θ＝2/3，sin2＝1/3，或者cos2θ＝0，sin2θ＝1故有两个吸收峰。同理得到在100方向有2个吸收峰，110方向有3个吸收峰，任意方向有6个吸收峰。

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