当有电场作用时,半导体中的载流子将产生定向运动,称为漂移运动。它是在内电场作用下形成的。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
载流子的输运半导体中自由载流子的任何运动都导致电流。这些运动可以由外加电压产生的电场引起,因为载流子是带电粒子。我们称这种输运机制为载流子的漂移。另外,载流子从浓度高的地方流向浓度低的地方。这种载流子的输运机制是由热能和与之相关联的载流子随即的热运动引起的。我们称之为载流子的扩散。总电流为漂移电流和扩散电流的总和。在外加电场的作用下,载流子做加速运动,并且由于与电离杂质碰撞和晶格振动散射最终达到一个恒定的速度v。速度和电场的比值称为迁移率。在高电场作用下速度达到饱和速度。另外,载流子在流过半导体表面时发生附加的散射,由于半导体表面或界面的散射机制使迁移率降低。载流子的扩散是通过形成载流子的浓度梯度产生的。浓度梯度可以通过变化的参杂浓度或者温度梯度形成。由于受相同的微粒和散射机制影响,两种输运机制是相关的。这种恒定的迁移率和扩散系数之间的关系成为爱因斯坦关系。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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