离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。 高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。简单的说就是芯片，就是集成电路。在硅片上做集成

半导体氢钝化退火工艺是一种金属热处理工艺。指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性。消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对

rta是快速热退火。rta是将工件加热到较高温度，根据材料和工件尺寸采用不同的保温时间，然后进行快速冷却，目的是使金属内部组织达到或接近平衡状态，获得良好的工艺性能和使用性能。RTA在现代半导体产业有重要的应用。可以用极快的升温在目标温

这两个概念不搭边。红外线加热器是指依靠辐射红外线对物体进行加热的一种加热器；分为三种，短波红外线加热器、中波红外线加热器和长波红外线加热器，如卤素加热管，碳素加热器和陶瓷加热器等。半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导

半导体氢钝化退火工艺是一种金属热处理工艺。指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性。消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对

退火工艺：1、球化退火的具体工艺①普通（缓冷）球化退火，缓冷适用于多数钢种，尤其是装炉量大时， *** 作比较方便，但生产周期长；②等温球化退火，适用于多数钢种，特别是难于球化的钢以及球化质量要求高的钢（如滚动轴承钢）；其生产周期比普通球化退火短，

高中生物课本上有，在人教版选修一我从网上找了点详细资料，不知道你是否需要[编辑本段][概述]聚合酶链式反应(Polymerase Chain Reaction)，简称PCR，是一种分子生物学技术，用于放大特定的DNA片段。可看作生物体外

与传统金属切削加工相比，电火花成型加工具的特点有：（1）采用成型电极进行无切削力加工； （2）电极相对工件做简单或复杂的运动； （3）工件与电极之间的相对位置可手动控制或自动控制；（4）加工一般浸在煤油中进行； （5）一般只能用于加工金属等

北京中科帅虹真空设备厂拥有现代化的氢气烧结炉，可以对金属件进行烧氢退火处理，一般可以对金属件加热到600-1000度左右的应变温度，由于在加热时采用氢气作保护气体，可以有效防止金属件的氧化，经过烧氢退火的金属件可以有效消除内部的应力，降低金

以上情况务必根据制程和产品规范要求执行 *** 作，如无相关规范或规范未必细述必要向工程部门提出ECN 工程修改通知。假设硅原材长期（超过720小时）真空下温度300度50度来回退火则特性肯定重大影响。硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序

退火特性与温度变化关系可分为三个温度区：一区、二区、三区，在一区和三区均表现为电激活比例随着退火温度升高而增加；二区则表现为反退火特性，随着温度升高电激活比例反而下降。原因：由于点缺陷重新组合成团，而硼原子比较小因此容易迁移到缺陷团中，处

退火的目的：1、降低硬度，改善切削加工性。2、残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。3、细化晶粒，调整组回织答，组织缺陷。4、均匀材料组织和成分，改善材料性能或为以后热处理做组织准备。半导体退火：半导体芯片在经过离子注入以后就需

半导体氢钝化退火工艺是一种金属热处理工艺。指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性。消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对

退火工艺：1、球化退火的具体工艺①普通（缓冷）球化退火，缓冷适用于多数钢种，尤其是装炉量大时， *** 作比较方便，但生产周期长；②等温球化退火，适用于多数钢种，特别是难于球化的钢以及球化质量要求高的钢（如滚动轴承钢）；其生产周期比普通球化退火短，

1.以通氢气或氢、氮混合气体（含氢量&gt5%）作为保护气氛的加热设备。有立式和卧式两种。2.发热体通常采用钼丝（钼的熔点为2630℃），外壳为金属，保持气密性良好。窑具常用钼舟，可连续生产、效率高。立式氢气炉与卧式相类似，占地面积

半导体激光退火原理漏氧气会形小，升华或分解发生。根据查询相关信息得知，是氧元素形成的一种单质，化学式O，化学性质比较活泼，与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼，与许多物质不易作用。高温下很活泼，能与多种元素直接化合，氧原子的电负性仅次

（1）100℃    （2）10Ω     （3）720W试题分析：（1）由题意和图丙可知该PTC材料的“居里点温度”是100℃ （2）R 0 、R T 串联，由图知当t=100℃时R T =34ΩR 0 =R 总 -R

如何计算辐照设备所产生的辐照剂量？答：要看辐照装置型号、钴源保有量、辐照时间、产品密度等信息。不能单纯从辐照设备来讲辐照剂量。一般辐照剂量可以通过跟随产品的剂量计来反映产品的吸收剂量。也可以通过产品剂量分布试验时得出的剂量率及辐照时间计算产

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min。可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅