半导体IPA是Apple程序应用文件iPhoneApplication的缩写。简单来说，Mac下的软件就像是Windows下的绿色软件一样，解压后即可使用，不需要安装，卸载的话也只用删除程序文件即可（这里不涉及pkg格式安装包）。程序文件是

半导体制冷 加热壶制热 半导体制冷器件不需要压缩机，不需要常规的制冷剂，不会污染环境，它只一种特殊结构的半导体，通上电就可以打破热平衡。著名的 理论：N.P型半导体通过金属导流片连接，当电流由N通过P时，电场将使N中的电子向P中的空穴反向流

转自-&gt这里刚开始涉及到图像处理的时候，在 OpenCV 等库中总会看到mask这么一个参数，非常的不理解，在查询一系列资料之后，写下它们，以供翻阅。什么是掩膜（mask）数字图像处理中的掩膜的概念是借

第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又

1、什么是金属－半导体接触的多子阻挡层和反阻挡层？什么是肖特基接触？ 答：金属与N型半导体接触，当Wm&gtWs 时：势垒区中的表面附近的能带向上弯曲，半导体表面电子浓度比体内小得多，为多子(电子)耗尽，因此，它是一个高阻区；多子(

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

目前自旋极化电子的注入与检测的研究不是很成熟,无论是在理论还 是在实验方面,存在许多问题有待于解决.影响注入效率的因素很多,包 括界面质量,缺陷和杂质密度.以及能带结构等,因此寻找好的自旋极化 电子来源的材料,研究出好的注入与检测方法,提高

半导体一般可分为本征半导体，N型半导体以及P型半导体分别代表无杂质掺杂，掺杂N型杂质（P,As）和掺杂P型杂质（B,Ga）.如果在N型衬底上扩散P型区，就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区；半导体中阱的作用，半导体中阱就叫

硼在氧化硅层的固溶度为5×1020cm度。半导体器件开管扩散工艺显示，硼离子在硅中的固溶度是5×1020cm度。硼是非金属元素，符号B，分别有结晶与非结晶两种形态，一般用于制合金、燃料等，在医药、农业和玻璃等工业中也应用广泛。①热处理温度要

沙子中含有硅元素，经过高温分解，得到粗硅，也就是不纯的单质硅，粗硅经过提纯得到纯硅，纯硅是半导体，对外界环境变化有很好的感应能力，在外界环境有微小的变化情况下可以调整自己的电阻，硅因为具有这种特性所以可以用来制造计算机芯片半导体在我们的生活

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。 基本原理：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，

什么是半导体封装？半导体电子元器件的封装不仅起到连接内部集成电路芯片键合点和外部电气组建的作用，还为集成电路提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用。因此，集成电路封装应具有较强的机械性能、良好的电气性能、散热性

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

不同的掺杂元素的原子质量各不相同，质量较小的原子扩散较快，可以用于在较大范围内比较均匀的低浓度掺杂，电阻率达不到较低水平；质量较大的原子扩散较慢，但因此易于控制扩散边界和浓度，因此可用于制造小范围内高浓度掺杂。到底选择什么材料来做掺杂，有几

半导体退火半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半

半导体中掺杂的不是离子，而是原子。半导体主体是硅，掺杂少量的3价镓原子之类或者少量5价锑原子之类，成为N型半导体或者P型半导体。这里说的3价和5价是指其能够提供出游离或者共价的电子数（最外层电子），而不是化学中通常所说的化合价。离子注入是离

2019年11月日本电信电话公司（NTT）宣布将在通过光信号处理信息、耗电量降至此前百分之一的光半导体的开发方面，与日本国内外65家企业展开合作，力争2030年之前实现量产。报道指出，日本将把光半导体作为支撑6G的信息处理技术，打造瞄准世界

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）等。激励方式有电注入、电子束激励