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多晶硅蚀刻残留物的的形成机理
为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯氦-氧、溴化氢氦-氧和溴化氢氯等不同气体混合物的影响,我们发现在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化硅化合物的反应引起的,湿
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超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告
我们华林科纳在这项工作中,超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层,通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层,发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构,用这种方法可以制作品质因数高得多的
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使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺
引言基本化学成分以Cl2为基础,外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测,以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在基于GaS
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使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)
引言我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意非球面。我们讨论了决定成形零
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等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案
我们华林科纳讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题(从有机硅化合物)的问题,特别注意表面条件,以及一些原位表面诊断的例子。由于等离子体介质与精密的表面分析装置不兼容,讲了两种原位表面调查的技术解决方案
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KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究
引言在湿法各向异性蚀刻中,底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而,还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。此外,没有关于KOH
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半导体工业中表面处理和预清洗的重要性
介绍半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻,酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必不可少的。已知多种蚀刻剂可
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硝酸浓度对硅晶片总厚度和重量损失的影响
引言新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究
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TSV工艺流程与电学特性研究
引言本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m,深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性,结果表明TSV具有低电阻
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CLL技术应用于新材料和系统的制造和研究
化学提升光刻(CLL)是一种减法软光刻技术,它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)标记来绘制功能分子的自组装单层,应用范围从生物分子图案到晶体管制造。在此我们表明,CLL可以作为一种更广泛的技术,利用由铸币
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半导体器件制造中的蚀刻工艺技术概述
在半导体器件制造中,蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术,该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定,其产生在光刻中有详细描述,一旦掩模就位,可以通过湿法化学或“干
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硅湿法蚀刻中的表面活性剂
引言本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。
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硅和SiO2的湿化学蚀刻机理
蚀刻机理诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体硅通孔硅+ 2 OH- + 2 H O 硅(OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H因为不同晶面的Si原子对于蚀刻
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GaAs的湿法蚀刻和光刻工艺
引言本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaPGaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素
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AlGaNGaN的光电化学蚀刻工艺
引言包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaNGaN基本的研究结果令人印象深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度,对高功率电子器件也很有吸引力
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一文详解光刻胶剥离工艺
引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的,但是在剥离过程中,材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题,以
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一文详解湿法蚀刻和光刻工艺
引言本次在补救InGaPGaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素,并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确
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硅片透蚀MACE化学镀金工艺优化方案
摘要硅(Si)的深度蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下,通过长时间的金属辅助化学蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾蚀刻,证明了通过蚀刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再现性。在MACE期间
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KOH硅湿法蚀刻工艺详解
引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻