半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元

不同点：一、本质不同。有机半导体是有机合成的，无机半导体是无机合成的。二、成膜技术不同。有机半导体的成膜技术比无机半导体更多、更新。三、性能不同。有机半导体比无机半导体呈现出更好的柔韧性，而且质量更轻。有机场效应器件也比无机的制

半导体物理h是表示小时。这个是定义的，有效质量等于h的平方除以d方e比上dk的平方，小时不是时间的国际单位制基本单位（时间的国际单位制基本单位是秒），而是与国际单位制基本单位相协调的辅助时间单位。费米能级等于费米子系统在趋于绝对零度时的

半导体电子费米波长要比金属内更长。半导体费米能级要高于金属费米能级，一般而言半导体材料中电子的费米波长大约为35nm，金属材料其尺寸大小一般小于2nm。费米波长，即费米面附近的德布罗意波长，说的通俗一点，费米面就是固体中运动状态满足一定条件

就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一

能带图就是晶体电子能量与波矢的关系曲线。对于半导体，可简单地画出价带和导带的能量高低，这时横坐标没有特殊的意义。参见“http:blog.163.comxmx028@126”中的有关说明。只能回答第1题，没做过ccd本征半导体：你把

n型半导体费米能级随温度变化曲线：载流子数目可以用费米-狄拉克函数描述，从该函数可以看到，载流子数目取决于费米能级位置（可通过掺杂调控）和温度。温度升高后，载流子数目升高。费米衡量电子占有能级的几率问题，在其下几率大于二分之一，其上小于二

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

费米分布函数，就是那个抛物线的图像，F（E）=1[1+exp((E-Ef)kt)]这是一个概率分布，当能量为跟Ef一样的时候，刚好就是分布概率为二分之一，所以你知道E就好了，但是导带和价带是不一样的，你最好还是看看书吧说起来很复杂。费米

对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。费米能级的物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的概率是12。在半导体物理中，费米能级是个很重要的物理参数，只要知道了它的数值，在一定温度下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定了。

物理半导体读研就业前景不错的。如果你选择的大学是211985工程上面的知名大学，那么这个专业是很有前途的，但是如果是很一般的大学，可能就不是太好。当然叫做×××电子科技大学，这样的学校的此专业都应该不错。前途，就是作集成电路，现在的计算

任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

从能量的角度：费米能级是化学势，定义为系统增加一个电子引起自由能的变化。热平衡时由于吉布斯函数取极值，那多元系的化学势必须相同，也就是说费米能级相同。 从电子填充的角度：由于电子能级填充满足费米狄拉克分布，那么大于0K情况下填充概率为0

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元

半导体发生简并对应一个温度范围：用图解的方法可以求出半导体发生简并时，对应一个温度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，

从能量的角度：费米能级是化学势，定义为系统增加一个电子引起自由能的变化。热平衡时由于吉布斯函数取极值，那多元系的化学势必须相同，也就是说费米能级相同。 从电子填充的角度：由于电子能级填充满足费米狄拉克分布，那么大于0K情况下填充概率为0

这个可以用作图法用这个公式在excel里做个图with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实

1、问题之一首先在技术的全面落后。我国半导体行业在材料和设备、设计和制造方面均落后于世界半导体发达国家，美国对华为半导体的限制也主要是卡在这几个部分。2、问题之二在于巨头的封锁，世界半导体巨头在自身发展到一定的实力时，就开始使用各种手段来限

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm&ltws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结. 4.金