即便全球各大半导体企业纷纷宣布自主化，西方依然我行我素，前不久对国产 科技 开启了新一轮打压，将华为在内的59家国产企业打入黑名单，禁止与西方 科技 企业进行交易和投资等，对于华为来说，这已经是两年时间里西方第五轮打压了，作为一家年营收近9000亿元的国产 科技 企业，华为还是凭借自己的技术积累扛下了所有，不可避免的是，失去海思半导体支撑的华为，芯片已经极度短缺，手机、5G、平板等硬件业务，创下了华为史上最大下滑，市场份额也所剩无几。
在西方新规毫无松动，而国产芯片产业帮助有限的情况下，华为只能被迫转型，任正非已经提出了接下来的目标，那就是向鸿蒙、云计算、智能 汽车 等软件业务转型，如今来看，鸿蒙是面向未来的物联网时代，目前还不能给华为带来营收增长，而云计算和智能 汽车 方案则不同，不仅受到西方新规的影响较小，而且立马可以给华为提供营收贡献，余承东也非常看好智能 汽车 业务，明年的目标超越特斯拉，实现30万台智能 汽车 销量。
转型之中的华为，是不是就放弃了硬件业务呢？答案当然是否定的，近日，华为海思依然开启了2021年招聘计划，甚至去海外招聘大量的芯片人才，不仅如此，华为已经通过旗下的哈勃投资了41家国产半导体企业，开启了芯片产业的全面布局，为自建芯片生产线铺路，其中就包括中科院旗下的企业科益虹源，可以这样说，华为通过投资的方式，已经和国产芯片产业形成了一个整体，只要国芯产业实现突破，那么华为将率先用上国产芯。
近日，国芯传来两大喜讯，突破了EUV光刻设备的最后难关，而且均和中科院有关，第一，根据央视的报道，中科院高能物理研究院传来好消息，其承建的中国首台高能同步辐射光源科研设备已于日前开始安装，而且该设备的光源技术研发与测试平台已经进入试运行阶段；第二，也是来自央视的报道，前身为中科院北京科学仪器研制中心的北京中科科仪股份有限公司，日前也传来喜讯，其自研的直线式劳埃透镜镀膜装置，以及纳米聚焦镜镀膜装置，两台装置均已经正式投入使用。
中科院传来的两大喜讯，到底对国产芯片的进展有何影响呢？首先我们先来了解一下7nm及以下高端芯片制造需要的关键设备极 紫外EUV光刻设备，全球目前仅ASML独家限量供应，其三大核心技术包括EUV光源、同步双工件台以及EUV光学镜头，现阶段国产芯片产业在清华大学、华卓精科的技术支撑下，已经掌握EUV光源、同步双工件台，但EUV光学镜头却迟迟未能突破，成为国产高端芯片的最后难关。
随着这三大设备及装置相继投入使用，国芯也将突破EUV光刻设备最后难关的EUV光学镜头，尤其是两大镜镀膜装置，是制造光刻设备光学镜头最重要的设备之一，而且这一次的镜镀膜装置已经突破到01纳米工艺水准，逐渐接近全球最领先的EUV光学镜头工艺要求的005nm水准，因此造出国产EUV光刻设备只是时间问题，据业内人士分析预测，2025年左右有望实现，这也与TCL李东生的预测基本吻合，其表示国内解决高端芯片问题，至少要三到五年时间。
根据业内人士的分析预测，也就是说，在国产EUV光刻设备正式量产之后，只要其他相关准备工作同步进行，7nm及以下的国产高端芯片，最快有望在2025年左右实现。如果一切能够按照计划顺利进行，对于华为等国产 科技 企业来说，那么也将在2025年左右真正用上国产高端芯，届时华为的硬件业务将全面恢复，西方新规也将正式无效。
针对国产芯片制造的问题，前不久ASML就公开预言称：如果西方一意孤行，限制光刻设备出口，那么三年内我们国内将掌握光刻技术，十五年内彻底解决芯片限制。如今来看，随着中科院突破EUV光学镜头，国芯实现7nm及以下的高端芯片工艺只是时间问题，而且完全不需要15年时间，这也意味着ASML预言不仅成真了，而且将提前完成。
好了，国芯两大喜讯，华为或将用上国产高端芯，中科院突破EUV最后难关，你怎么看呢？
近日，台积电公布了截至3月31日，公司2021年第一季度财报，收入129．2亿美元，同比大增25％，毛利率52．4％，同比微增0．6个百分点。
按照市场分类来看，智能手机、高性能计算、物联网、自动驾驶以及其他分别为台积电贡献了45％、35％、9％、4％、7％。
按照台积电预计，2021年公司业务增速约为20％，预计第二季度销售额为129亿美元至132亿美元。
先进制程成主力，失去华为致5nm出货下降
财报中显示，按照晶圆出货量计算，在第一季度，台积电5nm出货量占晶圆总收入的14％，7nm出货量占晶圆总收入的35％。总的来看，先进制程（包含7nm及更先进制程）营收达到全季晶圆销售金额的49％。
不难发现，5nm、7nm两大最新工艺已成为台积电总收入的主力军。但相比之下，5nm的占比从上季度的20％大幅跌至14％，7nm则从29％恢复增加到35％。
而出现这个变化的原因也很简单，由于华为受到美国禁令的影响，无法继续向台积电寻求生产5nm芯片，这一事件也导致台积电失去了华为这个大客户。相比之下，7nm工艺芯片原本就比较成熟，成本也比5nm更低，因此能吸引到更多订单。
相比于7nm及以上的先进制程，10nm、16nm、20nm、28nm、40／45nm、65nm、90nm 这些成熟工艺，因为市场需求持续存在，因此发展也较为稳定。
台积电总裁魏哲家：芯片短缺期或将持续到2023年
在台积电电话会议上，据台积电财务长黄仁昭透露，5G、HPC（高性能计算）等应用趋势推升，为了应对未来的高需求成长，继今年前三个月支出88亿美元后，台积电将投资约300亿美元用于产能扩张和升级，这一数额远超于原计划的250亿美元至280亿美元。黄仁昭还表示，未来投资计划的80％将用于3nm、5nm及7nm等先进制程，10％用于先进封装技术量产需求，10％用于特殊制程。
值得一提的是，台积电总裁魏哲家也在会议室针对外界关心的市场需求和芯片缺货情况进行了回应。他表示，整体半导体需求依旧强劲，产能短缺将至2022年；其中，成熟制程因为新产能要到2023年才会开出，短缺期间更将持续到2023年。
而具体涉及到 汽车 行业客户的芯片短缺问题，魏哲家表示将在下个季度开始缓解，“台积电正在努力提高生产率以提高产量，目前已在多个地方扩大产能，为解决芯片供应短缺问题尽自己的一份力，预计下个季度客户的 汽车 芯片短缺将大大减少。”
市场需求大涨系主因
就在前段时间，联电、世界先进、力积电等拥有成熟制程产能的厂商，已连番调涨价格，台积电也对供应商释放出2022年将不会提供价格优惠或折让的信息，进一步表明当前半导体产业“量价齐升”的态势。
显然，芯片产能紧缺情况持续到2023年还只是保守估计，芯片一直都是易涨难跌，未来到底会变成什么样还很难说。
而针对近期半导体产业的涨价热潮，在近日举办的慕尼黑上海电子展上，微容 科技 、倍捷等企业均表示，市场需求大增是造成半导体产业价格普遍上涨的主要原因，哪怕是上游材料成本提升，也是受益于产品订单量的增加；其次，就目前半导体产能来看，晶圆、芯片、MLCC电容、连接器等产品均出现交期延伸等情况，随著成熟制程需求涌进，订单远大于产能供给已成常态，产能紧张状况今年底前仍难以缓解，价格也自然节节攀升。
虽说大家都有扩产的想法，但扩产还需要经过建厂、设备进驻、验证到进入量产等一系列流程，平均时长超过2年，新产能也得到2023、2024年才能有所贡献。
6月30日消息，据国外媒体报道，在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后，三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单，苹果的订单也就全部交给了台积电，三星随后在芯片制程工艺和良品率方面，也始终不及台积电，在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。但在芯片制程工艺及代工市场连续多年落后台积电的三星，并不甘于落后，在7nm和5nm制程工艺未能先于台积电量产之后，他们把目标放在了更先进的3nm制程工艺上。去年就曾有消息称，为了在3nm工艺上领先台积电，三星修改了芯片工艺路线图，跳过4nm工艺，由5nm直接提升到3nm。
而外媒的报道显示，力求在3nm制程工艺方面领先台积电的三星，目前也传出了好消息，他们的3nm制程工艺已成功流片。
外媒在报道中，并未提及三星3nm制程工艺流片的具体时间，但成功流片，也就意味着这一制程工艺距离量产又更近了一步。
不同于台积电在3nm工艺上继续使用的成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），三星的3nm工艺，采用的是全环绕栅极晶体管（GAA）技术，这也就需要不同的设计和验证平台。
外媒在报道中也提到，三星3nm工艺，采用的是Synopsys公司的Fusion设计平台，三星3nm制程工艺成功流片，是两家公司广泛合作的成果，也将加速这一工艺的量产。2017年中国半导体封装测试技术与市场年会已经过去一个月了，但半导体这个需要厚积薄发的行业不需要蹭热点，一个月之后，年会上专家们的精彩发言依然余音绕梁。除了“封装测试”这个关键词，嘉宾们提的最多的一个关键词是“物联网”。因此，将年会上的嘉宾观点稍作整理，让我们再一起思考一下物联网时代的先进封装。
智能手机增速放缓
半导体下游市场的驱动力经历了几个阶段，首先是出货量为亿台量级的个人电脑，后来变成十亿台量级的手机终端和通讯产品，而从2010年开始，以智能手机为代表的智能移动终端掀起了移动互联网的高潮，成为最新的杀手级应用。回顾之前的二三十年，下游电子行业杀手级应用极大的拉动了半导体产业发展，不断激励半导体厂商扩充产能，提升性能，而随着半导体产量提升，半导体价格也很快下降，更便宜更高性能的半导体器件又反过来推动了电子产业加速发展，半导体行业和电子行业相互激励，形成了良好的正反馈。但在目前， 智能手机的渗透率已经很高，市场增长率开始减缓，下一个杀手级应用将会是什么？
物联网可能成为下一个杀手级应用
根据IHS的预测，物联网节点连接数在2025年将会达到700亿。
从数量上来看，物联网将十亿量级的手机终端产品远远抛在后面，很可能会成为下一波的杀手级应用。但物联网的问题是产品多样化，应用非常分散。我们面对的市场正从单一同质化大规模市场向小规模异质化市场发生变化。对于半导体这种依靠量的行业来说，芯片设计和流片前期投入巨大，没有量就不能产生规模效应，摊销到每块芯片的成本非常高。
除了应对小规模异质化的挑战， 物联网需要具备的关键要素还包括 ：多样的传感器（各类传感器和Sensor Hub），分布式计算能力（云端计算和边缘计算），灵活的连接能力（5G，WIFI，NB-IOT，Lora, Bluetooth, NFC，M2M…），存储能力(存储器和数据中心)和网络安全。这些关键要素会刺激CPU/AP/GPU，SSD/Memory,生物识别芯片，无线通讯器件，传感器，存储器件和功率器件的发展。
物联网多样化的下游产品对封装提出更多要求
物联网产品的多样性意味着芯片制造将从单纯追求制程工艺的先进性，向既追求制程先进性，也最求产品线的宽度发展。物联网时代的芯片可能的趋势是：小封装，高性能,低功耗,低成本,异质整合（Stacking，Double Side, EMI Shielding, Antenna…）。
汽车电子的封装需求： 汽车电子目前的热点在于ADAS系统和无人驾驶AI深度学习。全球汽车2016年产销量约为8000万台，其中中国市场产销量2800万台，为汽车电子提供了足够大的舞台。ADAS汽车系统发展前景广阔，出于安全考虑，美国NHTSA要求从2018年5月起生产的汽车需要强制安装倒车影像显示系统。此外，车道偏离警示系统（LDW），前方碰撞预警系统（FCW），自动紧急刹车系统（AEBS），车距控制系统（ACC），夜视系统（NV）市场也在快速成长。中国一二线城市交规越来越严格也使得人们对ADAS等汽车电子系统的需求提升。ADAS，无人驾驶，人工智能，深度学习对数据处理实时性要求高，所以要求芯片能实现超高的计算性能，另外对芯片和模块小型化设计和散热也有要求，未来的汽车电子芯片可能需要用25D技术进行异构性的集成，比如将CPU，GPU，FPGA，DRAM集成封装在一起。
个人移动终端的封装需求： 个人消费电子市场也将继续稳定增长，个人消费电子设备主要的诉求是小型化，省电，高集成度，低成本和模块化。比如个人移动终端要求能实现多种功能的模块化，将应用处理器模块，基带模块，射频模块，指纹识别模块，通讯模块，电源管理模块等集成在一起。这些产品对芯片封装形式的要求同样是小型化，省电，高集成度，模块化，芯片封装形式主要是“Stack Die on Passive”,“Antenna in SiP”,“Double Side SiP等。比如苹果的3D SiP集成封装技术，从过去的ePOP & BD PoP，发展到目前的是HBW-PoP和FO-PoP，下一代的移动终端封装形式可能是FO-PoP加上FO-MCM,这种封装形式能够提供更加超薄的设计。
5G 网络芯片的封装需求： 5G网络和基于物联网的NB-IOT网络建设意味着网络芯片市场将会有不错的表现。与网络密切祥光的大数据，云计算和数据中心，对存储器芯片和FPGA GPU/CPU的需求量非常大。通信网络芯片的特点是大规模，高性能和低功耗，此外，知识产权（IP）核复杂、良率等都是厂商面临的重要问题。这些需求和问题也促使网络芯片封装从Bumping & FC发展到25D，FO-MCM和3D。而TSV技术的成功商用，使芯片的堆叠封装技术取得了实质性进展，海力士和三星已成功研发出3D堆叠封装的高带宽内存（HBM），Micron和Intel等也正在联合推动堆叠封装混合存储立方体（HMC）的研发。在芯片设计领域，BROADCOM、GLOBAL FOUNDRIES等公司也成功引入了TSV技术，目前已能为通信网络芯片提供25D堆叠后端设计服务。
上游晶圆代工厂供应端对封装的影响
一方面，下游市场需求非常旺盛，另外一方面，大基金带领下的资本对晶圆代工制造业持续大力投资，使得上游的制造一直在扩充产能据SEMI估计,全球将于2017年到2020年间投产62座半导体晶圆厂，其中26座在中国大陆，占全球总数的42%。目前晶圆厂依然以40
nm以上的成熟制程为主，占整体晶圆代工产值的60%。未来，汽车电子，消费电子和网络通信行业对芯片集成度、功能和性能的要求越来越高，主流的晶圆厂中芯和联电都在发展28nm制程，其中台积电28nm制程量产已经进入第五年，甚至已经跨入10Xnm制程。
随着晶圆技术节点不断逼近原子级别，摩尔定律可能将会失效。如何延续摩尔定律？可能不能仅仅从晶圆制造来考虑，还应该从芯片制造全流程的整个产业链出发考虑问题，需要 对芯片设计，晶片制造到封装测试都进行系统级的优化。 因此， 晶圆制造，芯片封测和系统集成三者之间的界限将会越来越模糊。 首先是芯片封测和系统集成之间出现越来越多的子系统，各种各样的系统级封装SiP需要将不同工艺和功能的芯片，利用3D等方式全部封装在一起，既缩小体积，又提高系统整合能力。Panel板级封装也将大规模降低封装成本，提高劳动生产效率。其次，芯片制造和芯片封测之间出现了扇入和扇出型晶圆级封装，FO-WLP封装具有超薄，高I/O脚数的特性，是继打线，倒装之后的第三代封装技术之一，最终芯片产品具有体积小，成本低，散热佳，电性能优良，可靠性高等优势。
先进封装的发展现状
先进封装形式在国内应用的越来越多，传统的TO和DIP封装类型市场份额已经低于20%，
最近几年，业界的先进封装技术包括以晶圆级封装（WLCSP）和载板级封装（PLP）为代表的21D，3D封装，Fan Out WLP，WLCSP，SIP以及TSV,
2013年以前，25D TSV封装技术主要应用于逻辑模块间集成，FPGA芯片等产品的封装，集成度较低。2014年，业界的3D TSV封装技术己有部分应用于内存芯片和高性能芯片封装中，比如大容量内存芯片堆叠。2015年，25D TSV技术开始应用于一些高端GPU/CPU,网络芯片,以及处理器（AP）+内存的集成芯片中。3D封装在集成度、性能、功耗，更小尺寸，设计自由度，开发时间等方面更具优势，同时设计自由度更高，开发时间更短，是各封装技术中最具发展前景的一种。在高端手机芯片，大规I/O芯片和高性能芯片中应用广泛，比如一个MCU加上一个SiP，将原来的尺寸缩小了80%。
目前国内领先封装测试企业的先进封装能力已经初步形成
长电科技王新潮董事长在2017半导体封装测试年会上，对于中国封测厂商目前的先进封装技术水平还提到三点：
SiP 系统级封装： 目前集成度和精度等级最高的SiP模组在长电科技已经实现大规模量产；华天科技的TSV+SiP指纹识别封装产品已经成功应用于华为系列手机。
WLP 晶圆级封装 ：长电科技的Fan Out扇出型晶圆级封装累计发货超过15亿颗，其全资子公司长电先进已经成为全球最大的集成电路Fan-In WLCSP封装基地之一；晶方科技已经成为全球最大的影像传感器WLP晶圆级封装基地之一。
FC 倒装封装： 通过跨国并购，国内领先企业获得了国际先进的FC倒装封装技术，比如长电科技的用于智能手机处理器的FC-POP封装技术；通富微电的高脚数FC-BGA封装技术；国内三大封测厂也都基本掌握了16/14nm的FC倒装封装技术。
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