AOS发布最低内阻MOSFET:AON6250

AOS发布最低内阻MOSFET:AON6250,第1张

  采用先进的AlphaMOS技术,AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比,内阻降低了57%;与市场上现有最先进的同类型150V器件相比,内阻降低了8% ,除此之外, AON6250的优值(RDS(ON) * COSS)也是市场上最好的,从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装,符合绿色环保产品相关规定,且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后,万国半导体(AOS)将发布一系列150V MOSFET产品。

  “终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间,这让电源设计工程们面临严峻考验” , AOS高级产品经理Stephen表示, “实现其功率密度,需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能,AON6250正好可以满足工程师的需求。”

  AON6250 技术优势:

  150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package

  RDS(ON) 《 16.5 mOhms max at VGS = 10V (业内最低内阻)

  COSS = 213 pF typ

  Qg (10V) = 30.5 nC typ

  业内最低 RDS(ON) * COSS (优值, 可以有效降低开关损耗)

  100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2700702.html

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