AOS发布最低内阻MOSFET：AON6250

　　采用先进的AlphaMOS技术，AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比，内阻降低了57%；与市场上现有最先进的同类型150V器件相比，内阻降低了8% ，除此之外， AON6250的优值（RDS（ON） * COSS）也是市场上最好的，从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装，符合绿色环保产品相关规定，且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后，万国半导体（AOS）将发布一系列150V MOSFET产品。

　　“终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间，这让电源设计工程们面临严峻考验” ， AOS高级产品经理Stephen表示， “实现其功率密度，需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能，AON6250正好可以满足工程师的需求。”

　　AON6250 技术优势：

　　150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package

　　RDS（ON） 《 16.5 mOhms max at VGS = 10V （业内最低内阻）

　　COSS = 213 pF typ

　　Qg （10V） = 30.5 nC typ

　　业内最低 RDS（ON） * COSS （优值， 可以有效降低开关损耗）

　　100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试