1、在无磁场辅助条件下,以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上(晶向指数 100)的超大直径单晶体;
2、实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体;
3、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司率先实现 19 英寸(晶向指数
100)单晶体量产,为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础;
4、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司成功研发业内首批 17 英寸(晶向指数 111)硅单晶体;
5、成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术,为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。
1.在无磁场辅助条件下,以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上(晶向指数 100)的超大直径单晶体;2.实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体;3.为满足国际知名半导体厂商产品需求,神工股份率先实现 19 英寸(晶向指数100)单晶体量产,为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础;4.为满足国际知名半导体厂商产品需求,神工股份成功研发业内首批 17 英寸(晶向指数 111)硅单晶体;5.成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术,为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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