根据室内锅炉使用规定,每使用满两年需全面对管道进行清洗一次,能有效防止一些有害物质的滋生,那么对于管道应该如何清洗呢?以下是我为你整理的锅炉管道清洗,希望能帮到你。
锅炉管道清洗一、凝汽器—给水系统的清洗
1、冲洗
凝汽器---给水系统在冲洗之前,凝汽器,热井和除氧器、给水箱应用百分之二的磷酸三钠(Na31PO4.12H20)溶液进行手工清洗,然后用普通水冲洗这些系统。
系统正式冲洗最好使用除盐水,冲洗的循环动力由冷凝水泵提供,凝汽器热井作为存水容器。为了防止悬浮物质对冷凝水泵造成损坏,在泵的入口处应安装过滤器。冲洗应从冷凝器井开始,逐步通过冷凝水和给水系统直到锅炉人口,各部分的冲洗要进行至看到废水变清为止,一般在某些排放口收集水样以确认冲洗终点。对所有含有分叉的回路(如有疏水排放口、放气口、仪表接头等),或有并行路径(如旁通管线)的回路,在作业期间应考虑这些分叉、支线的隔离,确保系统充分清洗。建议在开始清洗作业之前准备一份检查单,表明各支管和旁通管道的作业顺序,和对应的阀门状态。
2、碱洗
凝汽器---给水系统的碱洗使用含有2000ppm磷酸三钠(2000ppm Na3P04或4600ppm
Na3PO4.12H20)和1000ppm磷酸二钠(Na2PO4)及相容湿润剂的溶液。碱化学品通常呈干燥粉状形态,因此使用前需把它们混合成浓溶液形式,然后注人循环系统。完成碱冼后,需要用冷凝水或除盐水替换清洗溶液,并冲洗系统。
凝汽器---给水系统在运行寿命期间通常只需要一次碱洗。对于给水加热器,通常只需要碱冼其管侧。如果给水加热器壳体和管侧已使用了石油基防腐剂且用热冷凝水无法去除时,系统应分两阶段进行碱洗。
在碱洗开始时,凝汽器---给水系统内应保持充满除盐水。碱洗循环通常用化学清洗泵形成,碱洗溶液在化学清洗联箱处注人,并在200F温度下至少连续循环24小时。碱洗一般选用较高的流量,因为高流量对管道弯头处不溶解颗粒的去除效果较好。。除氧器一般放在本系统内清洗,也可将之旁通。碱洗期间一样,有可能遭到碱溶液损坏或洗下的悬浮物磨蚀的泵和其它设备,应旁通或将内件拆下。
当清洗完成后时,要用除盐水更换替换系统内流体以排出废弃碱溶液。给水加热器水侧和壳侧还要分别进行冲洗
3、酸洗
酸洗作业开始时,凝汽器---给水系统内应保持充满除盐水。然后用化学清洗泵以相应于设备满负荷流量的建立循环,包括低压加热器,除氧器,以及高压加热器,而给水泵应旁通。在建立酸洗循环,且系统内流体达到200F后,将羟基乙酸、甲酸和二氯化铵抑制剂的混合溶液注入系统。为确保浓度均匀,酸溶液应以恒定的速率注人,即注入时间等于一次完整循环通过系统所需要的时间。酸洗完成后,可用除盐水充注系统以排出废弃的酸洗溶液,并冲洗系统。在酸洗结束后应向系统充注含有40ppm氨和500ppm肼的冷凝水以钝化系统。在钝化作业期间,PH值应维持在9.O或更大一些,肼浓度在200ppm以上。注意,如果给水加热器的某些部件用不锈钢制成,则不能用上法配制的溶液来酸洗。
与碱洗期间一样,有可能遭到酸溶液损坏或洗下的悬浮物磨蚀的泵和其它设备,应旁通或将内件拆下。应检查阀门和管线,以防止酸液意外排出,或设备意外污染。
在酸洗溶液第一次从高压加热器返回后应继续循环4到6个小时,每半小时进行一次水样取样,并分析铁含量。在酸洗期间,应变更流体流动途径使给水加热器旁路得到清洗。
二、锅炉本体热态清洗(煮炉)
锅炉本体的热态清洗过程相当于一个部分的锅炉点火和升温升压过程,因此在这之前锅炉应进行启动前的一系列准备工作,在检查锅炉符合启动条件后,才能进行锅炉的煮炉作业。煮炉开始前应向锅炉上水至汽包液位玻璃管上显示出2英寸的水位,上水 *** 作应符合的锅炉上水规程。用于煮炼锅炉的化学品先完全溶解于水,然后通过常规化学给水接头泵入锅炉。这些化学吕包括:
水合磷酸三钠:
无水磷酸二钠:
湿润剂:
煮炉药品通常不用苛性碱或纯碱,因为这会给过热器中的不锈钢部件造成严量的损坏。如果非要使用包括苛性碱或纯碱,过热器必须用冷凝水充注,且煮炼期间过热器排放口必须关闭。在煮炼期间,省煤器应用启动的方法
锅炉的保养方法一、压力保养
适用于生产备用锅炉或停运进行短暂检修时间不超过一周的锅炉。
①、停炉后把炉水全部放尽,将炉内的水垢、水渣清理干净,重新加入合格软化水。
②、定期用小火加热,或定期利用相邻锅炉的蒸汽加热炉水,使锅炉内的炉水温度夏季应保持在环境温度+10℃左右,冬季应保证炉水不冻结,关闭所有放空阀、排污阀和放水阀,防止漏水。
③、锅炉定期给水,保持锅炉内压力为0.05MPa~0.1MPa防止空气进入锅筒。
二、湿法保养
湿法保养一般适用于停炉时间不超过一个月的锅炉的保养。
①、停炉后按规定时间放尽炉水,将水垢、水渣、烟灰清楚干净。
②、关闭所有的人孔、手孔、阀门等,与运行的锅炉完全隔绝。
③、用合格软化水配制碱性保护溶液,按每吨炉水加入氢氧化钠Na(OH)8kg~10kg,或加碳酸钠(NaC03)20kg,或加磷酸钠(Na2P03)20kg。
④、用专用泵将配制好的碱性保养溶液注入锅炉。
⑤、当保护溶液全部注入后,开启给水阀将合格软化水注满锅炉,直至水从空气阀溢出为止,然后再关闭空气阀和给水阀,开启专用泵循环,使溶液混合均匀。
⑥、在整个保养期间,应定期用微火烘炉保持受热面外部干燥,定期开启泵循环,使各处溶液浓度一致,还要定期取溶液化验和补充药液,使溶液PH值在10~12之间,保证炉水的碱度。
有啊,比如清洗半导体硅片。随着半导体材料技术的发展,对硅片的规格和质量也提出更高的要求,适合微细加工的大直径硅片在市场的需求比例将日益加大。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺,使制片技术取得明显进展。最新尖端技术的导入,使SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此,硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资,针对设计规则的进一步微细化。利用超声波清洗技术,在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动,带动清洗液形成细微回流,使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面,提高清洗效率。
超声波清洗方法及其放置方向
将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上,在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下,利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗,超声波频率为40KHz,每5分钟将研磨硅片翻一个面,连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。超声波清洗单晶硅片装置清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口,槽底部下方设有超声波振子,清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架,框架底壁为栅栏状的石英棒形成的平面低于去离子水水平面,整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。
具体实施时,石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时,单晶硅片可以平置在石英棒上,将现有的竖超洗改成平超洗,消除了单晶硅片在竖超洗状态下,污染物会残留堆积在硅片表面,形成局部区域清洗不干净,以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递,从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象,具有结构更简单、用水量大大减少的优点。
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