什么是本征半导体

本征半导体（intrinsic semiconductor）是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。

本征半导体是指化学成分纯净的半导体，它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态，制造半导体器件必须使用单晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。在制造半导体器件的过程中会进一步提高材料的纯度，单晶体不但纯度高，在晶格结构上也是没有缺陷的，用这样的单晶体制造的器件才能保证质量。

典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。

实际半导体不能绝对地纯净，此类半导体称为杂质半导体。

集成电路中ge氧化是最早采用的半导体材料。锗（Ge）氧化是最早采用的半导体材料，最先用于分立器件中。集成电路的产生是半导体产业向前迈进的重要一步。集成电路使用的最基本的本征材料有：硅（Si)，锗（Ge），砷化镓（GaAs)。

ge不是直接带隙半导体。根据查询相关公开信息显示，ge和si是间接带隙半导体。直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

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