1.在无磁场辅助条件下,以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上(晶向指数 100)的超大直径
单晶体;2.实现
量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体;3.为满足国际知名半导体厂商产品需求,
神工股份率先实现 19 英寸(晶向指数100)单晶体量产,为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础;4.为满足国际知名半导体厂商产品需求,神工股份成功研发业内首批 17 英寸(晶向指数 111)硅单晶体;5.成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术,为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。神工股份拥有专业的研发团队,核心技术人员具有多年的超大直径硅晶体、轻掺低点缺陷硅片、硅片精密加工的一线研发和生产经验。基于材料行业的特点,研发团队从公司创立开始即和生产团队紧密配合,取得了如下业内领先的成果:
1、在无磁场辅助条件下,以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上(晶向指数 100)的超大直径单晶体;
2、实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体;
3、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司率先实现 19 英寸(晶向指数
100)单晶体量产,为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础;
4、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司成功研发业内首批 17 英寸(晶向指数 111)硅单晶体;
5、成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术,为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。
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