梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出过哪些重大贡献？

引言：梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术，但是新中国还没有掌握集成电路所需要的最关键的一个材料，那就是硅单晶体。

于是在1960年，老先生选择从苏联回到祖国，当时我国正处于半导体刚成立的时候，于是老先生带领着他自己的团队日夜攻坚，寻求能够解决中国所缺少的硅单晶体材料的这一个重要的难题，老先生在没有任何基础之上攻坚克难，最终为中国研究出了这一个关键材料，从而对中国半导体事业和半导体的领域做出了巨大大的推进。

老先生不仅仅为中国解决了硅单晶体这一个重要的难题，而且在集成电路以及其他的半导体领域方面都做出了很大的创新和改进。因为自然界中的硅还有很多杂志，所以说老先生将硅进行进一步提纯重安，保证了拥有较高的电阻率。同时老先生也在我国许创新领域和科研领域上面都做出了很大的贡献，不仅仅对于我们的祖国的科研具有很大的推进作用，而且对于我国的许多创新性领域也提出了许多自己的想法，他还培养了许多优秀的学生，给中国这个半导体领域创造了更多的创新型人才和研究型人才，所以说老先生对于中国半导体料的贡献和这个领域上面的促进是前所未有的。

让我们一起为老先生致敬，一起为老先生送行，相信老先生在江后来看到我们祖国日益昌盛，日益繁荣的时候，一定会更加安心。

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。