X射线主要被原子中紧束缚的外层电子所散射。X射线的散射可以是相干的(波长不变)或非相干的(波长变)。相干散射的光子可以再进行相互干涉并依次产生一些衍射现象。衍射出现的角度(θ)可以与晶体点阵中原子面间距(d)联系起来，因此X射线衍射花样可以

半导体中载流子的平均自由程大约为数百埃（晶体中的杂质、缺陷越少，晶格越完整，自由程就越大），比半导体的晶格常数大得多。晶格常数是晶体单胞（晶胞）的边长，与原子间距差不多，大约为几埃。为什么平均自由程远大于晶格常数呢？这是由于完全规则排列的原

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%～99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅

以上平面右上的Ti4+为中心原子，目前可以看到的是有三个02-与之相紧邻（不方便指出，但应该可以很容易定位，望谅解）。这三个02-分别在三个不同的平面内，分别是正方体的上平面、右平面、后平面。同时我们知道，晶胞是组成晶体的基本单位，也

异质结是半导体领域的重要概念，在半导体器件、光电催化、电池材料经常会碰到复合材料 —— 异质结，由两种不同的半导体单晶材料组成，具有一系列不同单一半导体的特性，例如： 整流性、光伏性、光波导效应。 异质结催化材料与传统单相催化材料固有的能带

1.有关晶体的所有知识 ①离子晶体：离子所带的电荷数越高，离子半径越小，则其熔沸点就越高。②分子晶体：对于同类分子晶体，式量越大，则熔沸点越高。HF、H2O、NH3等物质分子间存在氢键。③原子晶体：键长越小、键能越大，则熔沸点越

个人推荐1.C.Kittel 《Introduction to Solid State Physics》2.刘恩科 罗晋升 朱秉生 《半导体物理学》3.黄昆 谢希德 《半导体物理学》4.Ben G.Streetman 《Solid Stat

对于很多结构，我们比较容易获得其六角晶胞的结构数据，因为六角晶胞一般是原胞，包括最少的周期性原子，但在实际计算中，立方晶胞会更方便。比如在lammps中，如果采用六角晶胞，在计算d性常数的时候，时常会报下面的错误：ERROR: Tricli

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结

栅极侧壁的表面保护。spacer工艺是一种自对准的双重成像技术，采用的是微光纳米技术，可以作用在栅极侧壁表面的保护层，用来防止半导体结构形成工艺过程中，栅极侧壁表面受到损伤，延长栅极侧壁的使用时间。化学结构中spacer什么意思又称unit

硅guī（台湾、香港称矽xī）是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素。晶体结构：晶胞为面心立方晶胞。原子体积:(立方厘米摩尔

晶格参数与晶格常数是一样的。晶格常数（英语：lattice constant），或称晶格参数（英语：lattice parameter），是指晶格中晶胞的物理尺寸。晶格常数（或称之为点阵常数）指的就是晶胞的边长，也就是每一个平行六面体单

人们对开发环境稳定、通过可见光吸收并具有极性晶体结构的新型太阳能收集器有相当大的兴趣。车轮矿CuPbSbS3是一种自然形成的硫盐矿物，它在非中心对称的Pmn21空间群中结晶，并且 对于单结太阳能电池具有最佳的带隙。 然而，关于这种四元半导

天然钻石因其稀少，除了观赏及饰品外，还被应用于工业中，如钻石切割、高端军工等，只因其昂贵而没被广泛应用，实际中很多加工、制造业及产品都可利用。由于钻石的硬度极高,可以用于沙纸、钻探、研磨工具之上，可以用来切削和刻画其他物质。不过用来工业上的

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（1）（2）N      B （3）GaCl 3 ＋NH 3 =GaN＋3HCl（4）共价键    原子（5）①sp 3     4     ②试题分析：（1）镓为元素周期表第31号元素，在元素周期表中的位置是

（1）硫酸根显-2价，设镓元素的化合价是x，根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得：2x+（-2）×3=0，则x=+3价．（2）根据题意，肼（N2H4）具有很好的还原性，与氧反应的产物无污染（由质量守恒定律，反应前后元素种类不变，反应物中

本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。n：代表导电带中电子的浓度； P：代表价电带中空穴的浓度。定义：ni

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。 相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁