MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局（上）

　　在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际，工研院电光所的研究团队所开发出来的“垂直式自旋磁性内存技术”荣获杰出研究金牌奖，此技术乍看之下并不显眼，但该内存技术的背后，却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局。

　　我们都知道，内存的分类，大致上可分为：“挥发性”与“非挥发性”两大类别，前者以DRAM（动态随机存取内存）与SRAM（静态随机存取内存）为代表，后者则以Flash（闪存）最为常见。然而这两种内存类别，天生就有截然不同的技术特性，因此也在电子产业中各自扮演重要的角色。不过，碍于制程的不断演进，这些内存也开始面临了物理极限，在微缩上变得愈加困难，所以许多国际半导体大厂也就开始着手进行新一代内存的开发，MRAM（MagneTIc Random Access Memory；磁性内存）就是众多新一代内存技术中的典型例子。

　　MRAM的技术特性兼顾了挥发性与非挥发性内存的优点，在定位上介于两者之间，由于具备了非挥发性内存的优点，所以相对省电。许多业者也将其视为DRAM与SRAM的下一代接棒技术。

　　回溯MRAM的开发历程，早在1995年摩托罗拉就已经着手进行研发，后来旗下的半导体部门转而成立飞思卡尔后，于2004年提出量产计划，2006年进营销售，容量为4Mb，读写速度为35ns（nanosecond；奈秒）。而工研院也在2001年投入MRAM的研发，并于2002年成立研发团队。在当时，产业界对于MRAM有着不小的呼声。

　　然而，尽管身为一线国际半导体大厂的飞思卡尔将MRAM加以市场化，但是市场终究是残酷的，碍于MRAM有许多物理特性的问题无法克服，其性能表现不如市场预期，MRAM到现在仍然是处在曲高和寡的局面。全球一线半导体大厂对于MRAM的研发投入也趋于缓和。不过，这种情况在2010年的IEDM（国际电子组件会议）上由于三星与海力士针对MRAM不约而同提出新的研发成果而开始产生变化，MRAM再度受到全球半导体大厂们的重视。紧接着，工研院也在2013 年提出新的研发成果，进一步解决了MRAM的物理问题，工研院电光所所长刘军廷便表示，此一技术突破，将为内存产业开辟一个全新的战场，台湾将在这个战场中，扮演相当关键而重要的角色。（未完待续）